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5 个结果
  • 简介:简述了超MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超理论的一些新型功率器件。

  • 标签: 功率MOSFET 超结MOSFET 通态电阻 击穿电压 硅限
  • 简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

  • 标签: 微波集成电路 SiGe异质结双极晶体管(HBT) 器件参数 带宽
  • 简介:无论对哪种封装,新一代600V超MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

  • 标签: 大功率 硬开关 拓扑电路 MOSFET 功率转换电路 AC/DC
  • 简介:仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大面积型的MOSFET相比,这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

  • 标签: MOSFET器件 电压等级 平面型 最优化 AC/DC 竞争
  • 简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体二极管的新型超器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

  • 标签: 体二极管 器件综合 应用 硬开关 功率MOSFET CFD技术