碳化硅功率器件在电力电子中的应用

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摘要 从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。
机构地区 不详
出处 《上海电机学院学报》 2013年3期
出版日期 2013年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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