从碳化硅（SiC）功率半导体器件的等效电路入手，分别讨论了碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）与碳化硅结型场效应功率晶体管（SiCJFET）的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题，设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明，SiC新器件具有良好的开关特性，驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。
上海电机学院学报
2013年3期
