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《电力电子》
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新型沟槽技术
新型沟槽技术
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摘要
ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC
DOI
3ojzryyd5q/13022
作者
刘鹿生
机构地区
不详
出处
《电力电子》
2003年2期
关键词
沟槽技术
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2003年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电力电子
2003年2期
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