简介：“国家大力发展电力电子产业的政策解读”报告指出，在第十二个五年计划里，已将电力电子器件和半导体集成电路、光电器件均纳入七大战略性新兴产业之一的“新一代信息产业”中，列为关键技术和基础，并重点扶持。这是电力电子和相关业者多年来追求的夙愿!

简介：本文概述了电力电子与微电子的数字化、模块化和集成化三方面的对比；介绍了相关的系统集成技术的研究现状。

简介：本文综述电力电子系统集成的三项关键技术：改进的功率集成电路、功率变换器的高频数字控制和地磁芯变压器，包括设计考虑和特性。

简介：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。

简介：众所周知，电力电子器件是电力电子装置和系统的基础。一代新器件造就一代新系统。IGBT登上历史舞台并日趋成熟，迅速地替代了GTR(电力晶体管)，不仅使电力电子装置的性质、体积、重量都得到极大的改善，而且因清除了二次击穿等问题，使得通信电源、交流电机变频调速等装置的可靠性大幅度提高。上世纪80年代

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：由于功率半导体制造技术的进步,发现可以使电子系统进一步小型化。而将电子系统的尺寸缩小也是实际的需要。但是。器件的热性能是个不可忽视的问题。显而易见,解决问题的第一方法是降低器件的导通电阻和功耗。目前已有些功率MOSFET公司使用沟渠技术,使器件的热性能比前几代有显著的改善。

简介：ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC

简介：1前言高速开关和现代封装技术要求变革电子产品传统的功率分配方法——电缆线束、铜片总线和印刷电路板上的电源线与地线,期望功率分配线的电感小,电阻低,电容大,占用空间小。图1b给出的迭层结构功率母线(BusBars)已应用于大型计算机系统、通信和航空电子学等的功率分配子系统,新型通用功

简介：使用清洁能源之一的燃料电池,需要专用变换器。AdvancedPowerAssociate公司开发了燃料电池用的降压/升压变换器。功率范围为3kW～15kW,并联两个或更多的单元可获得更大的功率。这些变换器是具有综合诊断能力的全数字控制。输入/输出