在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定

在线阅读 下载PDF 导出详情
摘要 在同步辐射软X光能区(50-2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验,因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗,使得可以用简单的模型来分析实验结果,由实验测得的光电流,计算出硅光电二极管的量子效率,并求得入射同步辐射的光通量。
机构地区 不详
出版日期 2000年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
  • 相关文献