首页 > 《电力设备》 > 2017年24期 > GPP小芯片去边改善

GPP小芯片去边改善

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要摘要针对GPP小芯片玻璃沿厚度高，后道封装时很容易压在玻璃沿上导致芯片裂片，改善玻璃高度，匹配后道封装模具作业；大大提高了封装良率。

DOI 2d339rr7d9/2719719

作者杨玉聪

机构地区（天津环鑫科技发展有限公司天津市300384）

出处《电力设备》 2017年24期

关键词 GPP 小芯片去边去边酸温度玻璃沿高度有效边长

分类 [电气工程][电力系统及自动化]

出版日期 2017年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1王晓捧. 改善GPP产品玻璃点外观不良.电力系统及自动化,2017-12.
2吴智翔. 集成电路芯片湿法去层技术探析.,2023-04.
3. 小2去旅行.车辆工程,2014-10.
4夏斌;夕夕（图）. 小蜗牛去旅游.学前教育学,2008-09.
5熊述元. 集成电路芯片小如尘粒.物理电子学,2006-02.
6段乔,杨璐,潘颖,程霄,马军伟. 镀金引线芯片去金工艺技术研究.建筑技术科学,2023-11.
7. 鼠小贝去旅行.教育学,2011-10.
8杨志群. 小木偶去旅行（中班）.学前教育学,2015-11.
9波比. 去小蝼蛄家做客.教育学,2015-11.
10梅艺凡. 小绿狼去上学.教育学,2015-08.

来源期刊

电力设备

电力设备

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

GPP 小芯片去边去边酸温度玻璃沿高度有效边长

返回顶部