摘要
摘要ESD保护在高压工作中起着至关重要的作用，但大部分ESD器件本身由于内壁结构的不合理存在着很高的潜在风险，一旦产品出现问题很难保证高压工艺的安全性。而高电压工作又不能使用可控硅整流器件（SCR）进行保护，所以只能通过优化ESD器件，来保证高压工作的安全进行。文章通过实验和检测的方式，研究了LDMOS器件释放电流的过程，同时对器件发生的二次触发现象进行深入研究，对比各项数据的结果，给出了LDMOS器件内在内部结构上有哪些改进，结合计算机仿真技术、传输线脉冲测试，并对通过ESD工作过程中的失效分析等多方面，大幅提升了器件承受电流的能力，而且进一步给出了ESD整体性能的优化方向。
出版日期
2019年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
