摘要
摘要：近年来，氧化物半导体的发展越来越快速，而氧化镓(Ga2O3)作为一种新兴的氧化物半导体材料引起了人们的广泛注意。Ga2O3是第三代半导体材料之一，属于宽禁带半导体材料，具有高达4.5~5eV的直接带隙，还具有较高的吸收系数、较高的击穿场强~8MV.cm-1和稳定性好、易于制备等优点，适用于日盲紫外光电探测器、超高压电力电子器件以及极端环境电子开关。Ga2O3结晶成各种不同的结构，其中，最稳定的β-Ga2O3和α-Ga2O3，其最大带隙能值为5.3 eV。截止目前，Ga2O3的研究涵盖了各种形式，根据其形态的不同，可以分为块状，薄膜和纳米结构。本文主要围绕Ga2O3材料的基本特性、制备以及应用展开了讨论分析。 关键词：氧化镓制备，光电特性
出版日期
2021年12月29日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
