随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺，作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错／层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高，为了寻求一种更适用于量产的监测方法，文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析，提出了一种改进的监测方法，通过低温快速热退火实现了短周期，剂量敏感且具有良好重复性，易于量产。
电子与封装
2009年5期
