简介:
简介:本文通过对不同腔体粉末工艺暂停时间和加热曲线的试验,得出了粉末工艺条件下暂停时间和加热曲线的选择规律。
简介:大家知道,传统的用片状溶剂合金生产金刚石的做法是将溶剂合金片与石墨片交替叠加放置在由传压介质构成的腔体中,再通过加压加热使部分石墨变成金刚石。这种方法在我国的金刚石生产中已沿用了四十多年。实践证明这种做法有缺点,不能够生产数量多、质量又好的金刚石,而且生产成本也比较高。近年来用粉状溶剂合金与石墨粉混合成型作为原料生产金刚石的方法受到人们的重视,
简介:对于凸曲线高翻边制件,成形时防皱是其首要任务。本文采用局部刚性防皱板方法,不仅消除了起皱,保证了成形质量,而且还大幅度提高了材料利用率,降低了模具成本。该方法对于产品研制阶段和小批量生产非常适用。
简介:本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分:1、回顾;2、技术关键;3、展望。
简介:本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜,反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明:随着CH4流量的增加,金刚石的成核密度增加,并出现二次形核,金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层,金刚石在非晶碳层上成核长大,并伴随着二次成核,最终形成多晶金刚石膜。
简介:本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。
简介:本文论述了采用温度梯度法在人造金刚石生长中的添加N、B杂质元素对生长温度的影响。
简介:宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本,在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。
简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。
简介:本文研究了在高温高压条件下,用FeNi合金做催化剂生长金刚石单晶时金属膜的显微形貌。
简介:校企联动共孕卓越工程师近日,卡尔·蔡司(CarlZeiss)工业测量奖学金颁奖典礼暨蔡司校园行活动在上海大学拉开帷幕。机电工程及自动化学院(机自系)的位老师、7位学生分获2011—2012学年蔡司工业测量设立的教师奖和奖学金。
简介:11月8目,法如公司在上海举行了新品发布会,展出全新的便携式坐标测量机QuantumFaroArm和全新测量臂FusionFaroArm。
简介:文中从分析粉碎法纳米金刚石的性质出发,讨论了粉碎法纳米金刚石的一些应用方向。
简介:介绍了正装拉伸法与反装拉伸法各自的动作原理,分析了反装拉伸法在汽车覆盖件模具实际生产中的优势。
简介:文章分析了在六面顶压机大型化同时,粉末触媒法合成金刚石的不断发展,并且探讨了部分利用大型压机合成新型功能性单晶或新材料的实验进展。指出国内粉末法合成金刚石近年来取得长足进步,但与国外先进技术仍存很大差距,任重而道远。
静压法生长金刚石的几个问题
粉末合成工艺暂停时间与加热曲线的选择
评片状法与粉末法
凸曲线高翻边局部刚性防皱板的应用
金刚石生长不好的关键所在
碳源特性与金刚石晶体生长
自发成核生长大单晶金刚石
MPCVD多晶金刚石薄膜的生长特性研究
高压设备的类型与金刚石的生长
关于高温高压生长金刚石单晶产量的讨论
高温高压合成金刚石中掺杂对生长温度的影响
宽带隙薄膜材料核化与生长机制及其性质的研究
两步生长法制备大面积HFCVD金刚石薄膜
FeNi合金做催化剂高温高压生长金刚石的金属膜
校企协作谋求曲线突围——记卡尔·蔡司工业测量奖学金颁奖典礼暨蔡司校园行
再谈传压介质问题—关于金刚石生长环境的化学成分
法如公司举行新品发布会
粉碎法纳米金刚石的应用
汽车覆盖件模具运用反装拉伸法的研究
粉末触媒法合成金刚石的新进展