简介：概述了含有金属纳米粒子的低温烧结型纳米导电胶及其应用,适用于形成细线化图形等.

简介：台积电近日正在加快28纳米以下制程布建步伐，位于中科园区的晶圆15厂第三暨第四期厂房，将同时兴建，预计2013年完工，这二座新厂，未来将成为台积电跨足20纳米制程主要生产重心。

简介：最近印制电子技术发展日益完善，这项技术在传统印制电路板行业中也展现出巨大的应用前景。本文着重介绍了应用于印制电子的银纳米材料的发展现状，从与传统PCB导线制备工艺的比较中说明打印法制备银导线及材料的优势。文中还讨论了用于印制电子的纳米银材料的制备、墨水的配制、打印工艺、应用前景。

简介：文章以印刷RFID天线作为印刷电子技术的应用实例，介绍了利用纳米导电油墨印刷RFID天线的优势、进展与发展展望。

简介：本文论述了吸水对印制线路基材性能的影响及影响机理,提出了改善基材吸水的一般原则和方法,由于纳米复合材料的阻隔性,对降低印制线路基材的吸水率有一定的借鉴意义.

简介：喷墨技术应用到PCB将是一种趋势,而该技术的核心问题是导电浆料的制备。本文采用热溶剂化学还原法,还原AgNO3制得纳米银导电浆料,并通过XRD、TEM等手段表征了其结构及形貌。实验发现：在120℃下的纳米银为球、片混合状,粒径为40nm左右,符合喷墨要求。最后经过导电浆料的制备及150℃下的烧结,测得其导电性良好,在环氧基材表面附着力强。

简介：英特尔北欧地区总经理帕特·布莱默（PatBliemer）近日表示，其14纳米制程工艺芯片已经完成设计，进入实验室测试。

简介：IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG32纳米／28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：11月3日，三星电子公布了第三代10纳米制程技术（10LPU）的最新细节。三星在今年10月中抢下业界头香、10纳米制程技术率先量产，这使其与台积电的先进制程竞赛如火如荼。

简介：芯片设计软件供应公司微捷码（Magma）设计自动化有限公司于近日宣布微捷码的Talus集成电路实现系统、QuartzSSTA统计分析工具、QuartzDFM（可制造性设计）、QuartzLVS以及SiliconSmartDFM能够通过中国台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）9.0版参考流程进行访问。

简介：主要介绍了纳米银材料的不同制备方法和表征方法，总结了不同合成条件对纳米银形貌的影响。有化学还原法、光化学还原法、银材料具有不同的光、电、磁和催化性能，出纳米银材料除了用于导电油墨的开发外，成本。电化学还原法和置换法。不同结构的纳米在PCB生产上具有极好的应用前景，特别指作为催化剂代替金属Pd能够有效降低生产成本。

简介：以二水合氯化钯为原料，PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂，抗坏血酸（从）为还原剂，在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL），透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析，结果显示，在PVP分散剂的作用下，得到的纳米钯为粒径8nm～22nm，无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液，可以减少沉铜的工艺步骤，经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级，通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。

简介：SpansionLLC日前宣布，Fab25工厂～公司在奥斯丁设立的主要生产基地一现在专门用于生产针对无线和其他市场的110纳米浮动门闪存产品。这是Spansion创建以来速度最快的技术升级——从开始产品开发到实现世界级的良品率。

简介：台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10．0版，能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10．0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一，并能延续其实现更先进设计方法的传统，解决28纳米工艺所面临的新设计挑战，并有多项创新以促成系统级封装设计的应用。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：日前，意法半导体宣布其在28纳米FD—SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。

简介：文章分析印制板碱性蚀刻前工艺水洗残留氢氧化钠对蚀刻速度的影响及原理,实验和实践结果表明,减少或避免氢氧化钠带入碱性蚀刻液可以保持蚀刻速率的均匀性和蚀刻液的稳定。

简介：探讨了二氧化硅表面处理后在覆铜板中的优化应用、工艺条件选择以及二氧化硅对覆铜板性能的影响和改进,初步探讨了添加二氧化硅填料后的FR-4覆铜板的热膨胀系数和孔壁树脂凹缩的改善.

简介：概述了黑氧化处理的问题点，利用蚀刻的铜箔粗化和替代黑氧化处理工艺的技术动向。