简介：金属化孔质量直接关系到印制电路板的质量及可靠性，而镀层空洞的多少对孔壁质量的影响很大。评价孔壁镀层空洞的方法为测试沉铜层背光。文章以流程分析法，通过试验找到了影响沉铜背光不良的根本原因。并对产生机理进行了理论分析：去钻污后，板件孔壁吸附的中和调整剂经过烘干时其分子结构被破坏，影响沉铜活化钯离子在孔壁的吸附，进而导致背光不良。最终，文章针对失效根因进行了改善。将沉铜背光等级由8．5-9级提升至9．5级以上，改善了沉铜加工品质。

简介：苏州PCB／SMT展从2005年在苏州工业园区金鸡湖畔一鸣惊人，2006年展会规模及参观人潮成长五成，到2007年展会突破一千个摊位，达到1，016个摊位；而参展商也由2005年的150家成长到2007年的315家。足见苏州PCB／SMT展已成为业界相互交流、创造市场商机的重要展览舞台。

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：本文就运用于某型号雷达中，微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3，进行了性能及特点介绍。在此基础上，对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28，制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术，进行了较为详细的介绍。最后，还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述，其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术，以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：2017年3月31日国家统计局服务业调查中心和中国物流与采购联合会发布了中国采购经理指数。3月，中国制造业采购经理指数（PMI）为51．8％，连续两个月上升，高于上月0．2个百分点，制造业持续保持稳中向好的态势。

简介：6月4日，欧盟官方公报（OJ）发布RoHS2．0（修订指令（EU）2015／863，正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中，至此附录II共有十项强制管控物质。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：我公司是由惠州市工业发展总公司与香港王氏集团属下王氏电路(PTH)有限公司双方合资经营的高科技企业,创办于1988年8月,1989年11月正式投产,主要生产双面及多层精密印制电路板,年生产能力达到14.4万平方米,1993年完成产值1.32亿,实现利润600万港元,创汇1100万美元。