简介：

简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：摘要：氮化镓（GaN）材料因具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势，被认为是继硅之后最重要的半导体材料之一。本文在对氮化镓半导体现有主要应用领域进行分析的基础上，针对国内市场现状和产业布局进行讨论，并提出氮化镓（GaN）半导体国内从业企业的发展态势及突破方向。

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简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目”氮化镓基激光器”获得重大突破．在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。该氮化镓基激光器采用在蓝宝石衬底上外延的多量子阱增益波导结构，激射波长为410nm，条宽5μm，条长800μm，激射阈值50KA/cm2．

简介：<正>近日,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：度发蓝光的LED是以氮化镓(GaN)为基底的,因此对GaN的研究和开发成为目前国外和有关机构工作活动的对象.由于以GaN为基底可做成除LED以外的多种器件,它的研究与生产自然更受关注,本文就以综合介绍的形式将GaN的近年来开发应用和市场予以介绍.

简介：比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaitiliationprogram），目标是降低氮化镓（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化镓（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化镓技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：日本2006年供应2006年日本供应为134．4t。国内DOWA公司生产新镓锭8t，比2005年减少2t。进口33．5t，比2005年减少22％。其中，从法国进口4．581t（4～7N）：中国12．344（4N）：匈牙利0．7t（4N）；美国2．352t（6N）；俄罗斯2．2t（4N）；乌克兰0．3t（4N）；台湾11．072t（2N）。

简介：全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIXG5＋C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

简介：[摘要]：目的：研究高效高能量密度氮化镓车载充电机系统化集成与样机测试。方法：以高效高能量密度氮化镓车载充电机为研究对象，实施系统化集成测试、样机测试。结果：充电机的前后级均以大电流氮化镓功率管作为主控管，采用全数字控制方式，保证该车载充电机整机效率比相同容量硅器件充电机的效率提高3个百分点，功率密度提高30%以上。结论:与采用Si功率器件的传统车载充电机存在的体积大、效率低等问题。相比，氮化镓功率器件具有更高的开关频率、更小的导通损耗，在高效高功率密度车载充电机应用领域具有突出优势。

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简介：本文介绍了镓微量元素的代谢、毒性及药代动力学特性，着重介绍镓作为亲肿瘤剂和强骨固钙剂在治疗癌症和骨病中的可能前景。

简介：以V2O5为原料,采用碳热还原法制备氮化钒,通过扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）观察与分析还原氮化产物的形貌与组成,分析产物的碳、氮、氧含量,研究原料配碳量、氮化温度和氮化时间等对还原氮化产物的影响。结果表明：还原氮化产物为碳氮化钒的固溶体。原料配碳量是影响反应产物中氮含量的关键因素,配碳比（质量分数）约为21%时还原氮化产物具有最高的氮含量14.76%;氮化温度应控制在1400~1420℃范围内,氮化时间达到4h即可实现氮化完全。

简介：根据美国战略分析公司战略组件应用（SCA）小组报告“RFGaN市场更新：2017—2022”预测，射频氮化镓（RFGaN）市场在2017年继续加速，收入同比增长超过38％，到2022年将超过10亿美元（国防部门需求略高于商业收入）。GaN正在各种射频应用中得到应用。增长主要是由于商用无线基础设施的推出以及军用雷达、电子战（EW）和通信应用的需求。