简介：全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIXG5＋C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

简介：建立了x射线荧光光谱法测定镓酸钠溶液中的镓和钒含量的方法，通过塑料样品杯和麦拉膜封装液体样品，测定中添加仪器自带Zn、Cr两种影响元素排除干扰，减少x射线荧光光谱仪对样品测定结果的偏差，即可得出镓和钒在样品中的含量。结果表明，方法的相对标准偏差（RSD）小于3％，加标回收率为93．33％～102．1％，可实现金属镓生产过程中的物料成分快速检测。

简介：建立了在酸法生产金属镓过程中，用NH1F掩蔽溶液中的铝，加入过量的EDTA标准溶液使之与镓元素完全络合，调整条件试剂硼酸溶液和无水乙醇的加入量，保证终点的准确判断，过量EDTA以PAN为指示剂用硫酸铜标准溶液回滴求得液体物料中镓含量的分析方法。实验表明，方法的相对标准偏差（RSD）为2．8％～6．5％，加标回收率为97．14％～104．0％。方法有较高的准确性和可靠性，且测定结果精密度高，可实现酸法生产金属镓液体物料中镓含量的快速检测。

简介：摘要本文研究了锑化镓热光伏电池发射极的优化制备过程，建立了镓空位和间隙态镓共存的扩散方法解释了锌在锑化镓中的扩散过程。研究发现，发射极中锌扩散曲线的高浓度扩散前沿中扩散率与浓度呈二次方关系，而制备电池所需的低浓度扩散前沿中扩散率与浓度呈一次方关系。

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：通过采集22组地下水样品,对洛阳市浅层地下水水化学特征和三氮浓度分布特征进行了分析.研究表明：该区地下水主要以低矿化度的HCO3—Ca和HCO3—Mg型水为主;＂三氮＂浓度分布在区域上存在较大差异性,局部地区超标现象较为严重.其中,硝酸盐氮浓度最高达42.45mg/L,位于洛阳市西南的辛店地区;氨氮和亚硝酸盐氮浓度分布特征较为相似,最高值均出现在伊河河畔及其以南的丘陵地区,浓度分别高达2.80mg/L和0.52mg/L.图5,表1,参11.