简介：

简介：摘要：氮化镓（GaN）材料因具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势，被认为是继硅之后最重要的半导体材料之一。本文在对氮化镓半导体现有主要应用领域进行分析的基础上，针对国内市场现状和产业布局进行讨论，并提出氮化镓（GaN）半导体国内从业企业的发展态势及突破方向。

简介：摘要：

简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：摘要：氮化铝在热、电、光和机械等方面具有优异的综合性能。本文综述了目前国内外氮化铝粉体的制备方法和反应机理，并简单总结了各工艺的优缺点和生产现状。

简介：摘要：肖特基二极管作为一种重要的功率二极管，广泛应用于电力电子线路的整流器和直流转换器中。宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）由于其拥有超大的禁带宽度，高击穿场强，可调的n型掺杂浓度和低成本的单晶生长技术，因而非常适合制作功率肖特基二极管。但是目前氧化镓的研究还处于初期，更大尺寸高质量单晶材料的制备、器件结构和工艺的优化等重要问题仍需探索并解决。本文通过统计、分析氧化镓肖特基二极管的中国专利申请，梳理了其研究进展。

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简介：摘要：氮化硅具有优异的物理化学性能，在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。本文综述了当前国内外制备Si3N4粉体的方法。

简介：摘要：采用次氯酸钠处置叠氮化钠，利用氯化铁溶液判定反应终点，健康危害：粉尘与溶液能刺激眼睛和皮肤，引起水泡。

简介：摘要目的建立石墨炉原子吸收光谱法测定全血中痕量镓。方法于2021年1至5月，用L16（45）正交试验设计优化石墨炉原子吸收光谱法测定全血中镓过程的灰化温度、灰化时间、原子化温度、原子化时间和基体改进剂浓度5个因素，同时测试批内、批间、加标回收试验等方法学指标。结果在优化后的检测条件下，石墨炉原子吸收光谱法测定全血中镓的线性范围为0.29~100.00 μg/L（r=0.999 1），对10.0、50.0、80.0 μg/L 3个浓度水平重复测定的批内、批间相对标准偏差（RSD）分别为2.3%~4.4%和1.5%~3.6%，加标回收率为98.1%~103.8%，方法检出限为0.13 μg/L。结论测定全血中痕量镓的石墨炉原子吸收光谱法操作简便、线性范围宽、检出限低、结果准确可靠，适用于职业健康检查及急性镓中毒的测定。

简介：摘要：以1-乙基-3-甲基咪唑硫酸氢盐离子液体为脱氮剂，在微波作用下脱除柴油中氮化物，消除其在使用过程中对环境的危害。考察了各因素对柴油脱氮效果的影响，结果表明：在剂油比为0.2，微波功率为375 W，微波辐射时间为5 min，静置时间为10 min，微波压力为0.6 MPa条件下，脱氮率达到95.2%。该方法与传统方法相比较，缩短了脱氮时间和降低了脱氮剂的用量。

简介：摘要：推进幼儿园普及普惠安全优质发展，全面提升幼儿园保育教育水平，是新时代新阶段对学前教育发展的新要求。构建满足幼儿学习与发展的课程，支持幼儿深度学习，是课程的改革走向，也是幼儿园课程改革的必经之路，更是推动幼儿园高品质发展的重要路径。建设高品质游戏课程是幼儿园课程改革的重要内容。

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简介：[摘要]绝缘导热材料，它属于重要的一种功能材料，一般情况下是通过橡胶、树脂、涂料、胶粘剂、陶瓷等为主要形式，通过氮化硼/环氧树脂的加入，往往会对所制备绝缘导热材料性能产生一定影响。故本文主要探讨氮化硼/环氧树脂的绝缘导热材料制备与其性能表征，仅供参考。

简介：摘要：目的：探析颞下颌关节疼痛患者予以低能量镓铝砷半导体激光干预的价值。方法：以我院2020年11月至2021年8月间收治的56例颞下颌关节疼痛患者为分析对象。参照组行常规治疗，研究组实施低能量镓铝砷半导体激光治疗，比较两组治疗前后的开口度、前伸动度、患侧侧方动度、对侧侧方动度，对比疼痛评分。结果：研究组治疗后的开口度、前伸动度、患侧侧方动度、对侧侧方动度高于参照组，且疼痛评分较低，差异P