简介:英飞凌科技于9月23日宣布其中国发展策略又向前推进一大步,英飞凌科技(苏州)有限公司的苏州封测厂正式落成。新厂于2003年10月开始建设,首批存储器产品将于2004年底走下后端生产线,批量生产计划将于2005年初开始。
简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。