简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：Vishay公司日前宣布推出新系列超亮LED——SMD0603。该器件具有目前市场上最小的SMD成型规格，且有六种颜色（超高红、橙色、黄色、绿色、纯绿色及蓝色）供设计者选择。

简介：高铁追尾、39人死亡、200多人受伤，这一切都注定了“7·23”将伴随温州高铁事故带来的伤痛永远留在我们的记忆中。痛定思痛，我们应当反思，723事故成为高铁获得新生的起点。

简介：最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

简介：

简介：焊接就是使用金属合金（焊锡）将两块或多块金属连接在一起的过程，其中焊料的熔化温度要比被焊金属的低。焊接温度低于450℃的称为软焊接，通常用于名贵珠宝首饰焊接的硬焊接（硬奸焊）温度超过450℃。硬焊接用于焊接银、金、钢和铜等金属，其焊接点比软焊接牢固得多，其剪应力比软焊接坚固20—30倍。

简介：2009年12月19日，河北华整实业有限公司承担的河北省科技支撑计划项目《钨铜新型电子复合材料》鉴定验收会议在石家庄成功召开。会议经河北科技厅组织，由衡水市科技局主持，邀请有关专家组成鉴定委员会和验收委员会。景县县委、政府对该项目产品的研发成功和鉴定验收予以高度重视，政府县长李建刚同志、刘兰智副县长参加了此次会议。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC

简介：

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：近日，一种新型陶瓷电容—B37941X在德国研制成功。该电容在受到损坏的情况下可使短路的危险程度降到最低。该产品专为没有采取安全措施的应用而设计，在这些应用中电容通常永久性与正极相连，通过串联连接该电容可降低电路危险，同时无需其他安全措施，因此适合于用户产品的现有设计和布局。

简介：飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借其卓越的电源技术优势推出三种全新“绿色”飞兆功率开关(FPS)产品，针对各式应用的100W至250瓦功率范围开关电源(SMPS)要求，包括彩电、DVD接收器、音频设备及等离子体平板显示器等。随着新型FSCQ系列的推出，飞兆半导体可提供满足1W～250瓦应用要求的完整绿色FPS产品系列。

简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：DiodesIncorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,

简介：AVX公司推出新款环保型钽贴片电容，该产品具有容积效率高的特点，基于稳定的MnO2电极实现了高容压比。这些TLJ消费系列电容产品符合ROHS标准要求，可用于3X回流、最高温度260℃的无铅装配系统。TLJ系列钽电容适用于大型便携手持电子设备、蜂窝电话、PFDA、相机及其它数码消费电子设备。

简介：主要介绍CMOS图像传感器的发展现状、最新进展、市场前景及其在医学上的应用。

简介：

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：给出了利用内建PWM控制器和高压MOSFET的TOPswitchGX系列开关电源芯片结合PI电源设计软件平台设计的一种小功率多路输出单端反激式开关电源的设计方案。并对设计进行了试验，结果表明，该电源电路结构简单，运行可靠，输出质量高。