简介:栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件,建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LDMOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。
简介:近几年来,四川省武胜县万善镇成人教育学校致力于科教兴镇奠基工作,坚持购买发行《农村技术教育活页教材》,年发行量由2000本增加到4000多本(专项技术单行本),保证了镇村成校和镇初中教学用书及干部指导用书,做到了村村社社有书用,家家户户学农技,科学务农,生财致富。