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简介：初中物理总复习与平常的课堂教学，在教学教法上的要领都是突出重点，突破难点，激发兴趣，启迪思维。但总复习课还须进行重点知识的辐射和相关知识^点的归纳，形成总复习课教学容量大、头绪多、课时紧的特点。对于教师来说，授课时特别重视条理清楚、

简介：初中物理总复习是物理教学的一个重要环节，通过总复习使学生对初中阶段所学知识形成一个有机整体，并能前后联系，融会贯通。在短时间内要取得好的效果，就必须把零散的、片断的知识条理化、系统化，提高学生运用所学知识解决实际问题的能力。通过几年的探索、总结，浅谈自己的一些策略及方法。

简介：课改实行多年，中考仍是检测教育教学质量重要手段之一，有效的复习备考，方能有效地提高学生的中考成绩，下面笔者就物理中考复习备考谈一些看法．

简介：初三化学总复习是使学生的化学学习产生质的飞跃的重要阶段。其主要任务是帮助学生梳理知识，使之条理化、系统化、结构化；巩固应用知识，学会分析问题，灵活调用自己贮存信息，解决化学问题；

简介：随着九年级新课教学的结束，学生进入了紧张中考前的总复习阶段。如何组织和安排不同类型的学生进行有效复习，使知识内容得以巩固加深，能力水平进一步提高，并在中考中取得理想成绩，是毕业班教师常感头疼的问题。下面就近年来对“中等生”初中物理总复习策略的一些探讨与同行交流。

简介：新课程新中考在六个文考等级科目中，生物、地理学生在八年级就过了关，政治、历史是开卷考，化学只有九年级一年的内容，权衡来权衡去，物理成了学生心目中最“小”的科目。进入九年级下学期总复习后，学生忙于复习语、数、英三“大”科目，要求学生用很多的课后时间来复习物理这个最“小”的科目，

简介：介绍了一种新型总β测量闪烁探测器的原理与结构,对闪烁探测器输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测器输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：O438.12002021241显示全息图像的噪声和衍射效率=Noiseanddiffrac-tionefficiencyofdisplayhologram[刊,中]/钟丽云,杨齐民,张文碧(昆明理工大学激光研究所.云南,昆明(650051))∥激光技术.—2001,25(4).—283-286较全面地讨论了全息噪声产生的各种来源和抑制办法。指出在拍摄全息时,一般总希望提高衍射效率。但应依据拍摄对象来选择参物比,以求得总的衍射效率

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简介：O438.12002053597计算全息图实现光学变换的计算机仿真=ComputersimulationofCGHrealizedopticaltransformation[刊,中]/张良(中国航空工业第613所.河南,洛阳(471009))//电光与控制.—2001,(1).—46-48讨论了计算全息图作为全息透镜以实现光学变换的

简介：O438.12002010371体积全息图的偏振特性=Polarizationcharacteristicsofvolumeholograms[刊,中]/路烁,刘文耀,张以谟,王金涛,陈晓晴(天津大学精密仪器与光电子工程学院教育部光电信息技术科学重点实验室.天津(300072)),刘大禾(北京师范大学物理系.北京(100875))∥光电子·激光.—2001,12(2).—193-196

简介：O438.12000031816CO2激光局域热固定光折变全息的一种新方法=AnewmethodoflocalthermalfixingbyCO2laser[刊,中]/李建郎,刘立人,郭迎春,周常河（中科院上海光机所.上海（201800））//光学学报.—1999,19（8）.—1065-1069提出用CO2激光加热后记录固定的方案对LiN-bO3晶体中的全息进行实时实地局域热固定。通过加载绝热体,利用连续激光加热晶体待固定区域局部范围至接近200℃,停止加热开始记录,至该区域温度降低至100℃时,将固定一个体全息。文中给出了热传导模型及其数值解。由得到的初步结果参数进行了一系列实验,

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：TB87798063673介质厚度和面形对全息图再现象的影响=Influenceofmediumthicknessandprofileonholograms[刊,中]/康明武,杨坤涛(武汉华中理工大学光电子工程部.湖北,武汉(430074))//电光与控制.—1997,(4).—19—22论述了全息元件介质的厚度和面形(厚度变化)

简介：O438．12005021186利用菲涅尔波带法计算三维全息=StudyofCGHfor3DimageusingFresnelzone[刊,中]／张晓洁(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室．浙江,杭州(310027)),刘旭…//光电工程．-2004,31(12)．-58-60,67根据全息理论,从点光源菲涅尔全息图的计算出发,提出一种利用主菲涅尔波带计算三维物体菲涅尔全息图的方法。通过读取3DS文件直接获得三维物体表面各点

简介：O438．12005053582二元计算全息图两种制作算法的研究=Studyontwokindsofbinarycomputergeneratedhologramproductionalgorithms[刊,中]／盛兆玄(第二炮兵工程学院物理教研室．陕西,西安(710025)),王红霞…∥光电子技术与信息．-2005,18(1)．-54-56提出基于MATLAB实现计算全息图制作的两种方法,并作了分析比较。对陈家祯等人提出的方法做了两点改进。用这两种方法制出的计算全息图在PC机显示器上进行模拟再现,取得了良好的效果。实验表明两种方法各有优点,用MATLAB绘制计算全息图比传统语言的编程算法更加简单方便。图4参5(杨妹清)

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：TH74297021365光学件质量对高倍显微物镜成象的影响=Effectofopticalelementqualityonhigh-powermicroscopeobjectimaging[刊,中]/戈良辉//江西光学仪器.—1996,(1).—14—15通过光学件质量对高倍显微物镜成象的影响分析,指出了光学件影响高倍显微物镜成象质量的主要因素,为高倍显微镜上批量,上质量指明了方向。(严