简介：通过溶液法，用水溶性生物材料海藻酸钠（SA）作为模板，控制合成三维结构形貌的纳米氧化锌（ZnO），所得制品经X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）表征测试，研究表明，SA能够有效抑制ZnO纳米晶体在碱性溶液中的一维生长趋势。

简介：据媒体报导，江苏苏净集团总工程师孙丹峰等人运用“0-3复合技术”生产的纳米氧化锌压敏电阻，日前已通过江苏省科技厅科技成果鉴定，并作为世界首创申报了发明专利。氧化锌压敏电阻应用于冶金、化工等行业急需的电力变流设备的过压保护，以保护其安全运行。

简介：一、氧化锌（ZnO）半导体材料作为典型的第3代半导体材料,半导体氧化锌（ZnO）激子结合热能高达60meV,远大于室温下的热能（26meV）。这样,ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射,这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子体的受激发射模式的阈值低2个量级以上。因此与Ⅲ族氮化物相比,ZnO其在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势,已经成为目前半导体研究领域中的热点。

简介：均匀沉淀法制备的纳米氧化锌是球形和类球形晶体颗粒，粒径介于21．729～50．553nm之间。研究分析了纳米氧化锌的光吸收能力、光致发光特性和催化能力之间的关系。结果表明，ZnO粒子尺寸越小，紫外吸收越好，光致发光特性越强，表面结构氧空位越大，光催化反应活性越高。初步揭示了纳米氧化锌的催化机制在于纳米颗粒的小尺寸效应和量子效应，以及表面丰富的吸附氧和结构缺陷。

简介：对ZnO一维纳米材料制备技术的研究进展作了综述，根据制备过程的相态将制备方法分为液相法、固相法和气相法。对各制备方法的特点进行了归纳总结和评述，对ZnO一维纳米材料的发展趋势做了展望，也介绍了本课题组的工作。

简介：利用共沉淀法实现石墨烯纳米片均匀负载粒径为5nm的氧化锌颗粒，并研究了石墨烯／氧化锌纳米衍生体的光催化性能，结果表明，合成的石墨烯／氧化锌纳米衍生体比纯氧化锌纳米颗粒对甲基橙有机染料具有更好的光催化活性。当石墨烯在衍生体中的含量为0．51wt．％时，获得的衍生体具有最强的光催化活性，在90rain内能全部降解溶液中的甲基橙。光催化活性的提高主要贡献于石墨烯良好的电子输运性能，能有效阻止氧化锌纳米颗粒中光生电子和空穴对之间的复合。

简介：采用化学浴沉积法在氧化锌种子层上制备了整齐有序且具有c轴取向的氧化锌纳米棒，同时还出现了自由分布的微米棒，其生长速度高于纳米棒，且生长模式符合扩散控制“Ostwald熟化”机制，但纳米棒生长过程的影响因素除扩散过程外还有形核密度、生长界面的反应动力学等。并研究了氧化锌纳米棒的微观结构和光学性质。

简介：草酸盐共沉淀前驱体通过煅烧热解得到活性炭负载的钴掺杂纳米氧化锌的复合光催化剂,采用XRD、BET等对产物进行表征,以亚甲基蓝为目标降解物,研究不同煅烧温度、不同掺杂钴纳米氧化锌负载量的复合材料的光催化降解性能,结果表明,随着光催化剂前驱体的焙烧温度的升高,草酸盐分解的二氧化碳对活性炭孔活化作用增强,所制得光催化剂的光催化性能较好;掺杂钴纳米氧化锌负载量为5%,煅烧温度为650益的复合材料对较高浓度的废水表现良好的光催化降解性能,100ppm的亚甲基蓝溶液的光催化降解率最高可以超过97%.

简介：加利福尼亚大学圣地亚哥分校报告说，其工程师们开发了一种薄而灵活的吸光材料，吸收了超过87％的近红外光，在1550nm处吸收了98％的吸光度，即光纤通信的波长。

简介：利用制浆造纸废料碱木质素制备了木质素基磷酸酯季铵盐两性表面活性剂，以此表面活性剂为结构导向剂，采用直接沉淀法一步制备了纳米氧化锌材料，XRD、EDS和SAED分析结果表明，产物为高结晶度的多晶六方纤维锌矿氧化锌，粒径在30nm左右；SEM和TEM分析可知，所合成的纳米氧化锌为具有粒子-片层-粒子三级结构的纳米材料，氧化锌主要沿着[101]和[100]晶面生长。同时对所制备的纳米氧化锌进行了紫外光催化降解亚甲基蓝的研究，实验结果显示，该纳米氧化锌有较好的光催化活性。

简介：随着对能源需求的不断增加，可再生能源尤其是太阳能越来越受到人们的重视，光伏应用作为太阳能利用的重要途径一直是研究的热点。近几年，具有半导体纳米线结构的太阳电池引起了人们的广泛关注，由于其独特的电子传输和光吸收特性，这种新型电池在提高电池的转换效率、降低生产成本等方面将可能成为很有发展潜力的太阳电池。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

简介：德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义，因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

简介：以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ag掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度均为100ppm的无水乙醇蒸汽、氨气、甲烷及一氧化碳四种气体进行气敏性能测试，结果表明，Ag掺杂后，ZnO纳米线对四种气体灵敏度的最高值分别提高了230％，92％，158％，49％，缩短了响应时间和恢复时间。

简介：采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：利用反相胶束结合溶剂热法制备了BaCO3单晶纳米线。该方法中，油酸／正辛烷／水体系中的反相胶柬起到模板作用，引导BaCO3沿一维方向生长，通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、投射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HRTEM）对BaCO3纳米线进行了表征，结果表明，所制备的BaCO3纳米线为均匀的直线形单晶纳米线，直径为80～200nm，长度为几百纳米到几微米。对BaCO3纳米线的形成机理进行了分析。

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。