简介：日本东北大学原子分子材料科学高等研究机构山中幸仁副教授领导的研究小组和该大学金属材料研究所及东北学院大学合作，共同开发了利用气体喷雾法的软磁性非晶合金纳米线（直径100nm-3μm）的低成本批量生产技术。并用这种纳米线试制了磁传感元件。测试结果显示，该元件具有电阻值随外加磁场变化而变化的磁阻效应。

简介：北京京磁技术公司是开发生产高性能效铁硼(NdFeB)稀土永磁材料及其应用产品的民营高科技企业。公司成立于1987年,注册资金550万元。公司拥有资产1.3亿元,

简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：日本AsahiDenka和Kanasai电力公司日前开发出一种耐400℃的绝缘树脂。其中一品种牌号为“纳米树脂KA-100”，其为以聚硅氧烷为主要成分的热固性树脂，其重要特征为能粘结各种不同分子结构的纳米级化合物，故实用与潜能较可观。如将其用于SiC变换器能使发电功率达100kVA，

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：放射电磁噪声（EMI）相关国际标准“CISPR22”作了修订，上限频率将从原来的1GHz提高到6GHz。欧洲将从09年10月开始率先应用，日本2010年也将更改VCCI规定的限制值。

简介：

简介：所属领域新材料领域项目简介国家“863”支持项目采用一种新的制造技术，制造〈110〉轴向取向多晶棒材，在5MPa预应力和5000e磁场下的磁致伸缩系数达／／=950～1150ppm，重复性好，一致性高，工艺易于控制，成品率高。已获国家发明专利，拥有自主知识产权。

简介：

简介：2003年我国绝缘材料产量达到230kt，比2000年增长35％以上。我国已成为世界绝缘材料的主要产地。

简介：据报道，近日在贵阳市召开了2006年国际稀土超磁致伸缩材料应用学术研讨会；来自法、美、英、目等国家以及中国科学院、中国材料研究协会、中国稀土学会、北京科技大学的专家、学者30多人聚集一堂，就稀土超磁致伸缩材料产业的发展前景、方向等进行了交流。

简介：随着纳米材料研究向应用领域的推进，热电效应和磁振子拖曳成为在纳米尺度控制热量产生和传输的重要工具。

简介：

简介：采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构,而且沿002方向有择优取向性,没有发现其它含Mn的化合物生成。从ZFC/FC曲线看出样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异现象。45K和300K下测量的的M-H曲线显示磁滞现象,测得的矫顽力分别是300Oe和100Oe,说明样品具有铁磁性。样品的紫外-可见光反射谱显示Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大。掺杂度在1%处能隙有最小值。

简介：据报道,由北京科技大学新金属材料国家重点实验室合作完成的"宽温域和耐腐蚀巨磁致伸缩材料及应用"新技术,在晶体生长、材料制备技术方面均有重大创新,为国家急需的项目提供了关键的功能材料,获得2008年度国家技术发明奖一等奖。

简介：最近，国际期刊《先进材料》报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生朱礼军的最新研究制备出室温环境中同时具有超高垂直矫顽力、超强垂直磁各向异性和大磁能积MnGa单晶铁磁薄膜。

简介：美国普渡大学的研究人员成功研制一种磁性“铁磁纸”。它可用于制造手术仪器中的低成本“微型发动机”。研究细胞的微型镊子、微型机器人以及小型扬声器等。

简介：

简介：美国俄亥俄大学的科学家们制造了一种改进的磁性半导体材料。这个三明治结构中间的氮化镓和镓锰合金层几乎消灭了半导体和铁磁层间的混合，并允许电子自旋被控制，解决了自旋电子学领域多年来未解决的问题。

简介：据物理学家组织网12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。