简介:本文采用Multisim2001电路仿真技术的先进教学手段,通过测量差动电压放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比,观察信号波形的变化,直观地、清晰地再现“差动放大电路”的特点,省略了理论教学繁琐的计算。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:当前的电子产品制造及SMT加工企业,主要是采用委托代工(OEM)、委托设计与制造(ODM)或两者兼用的生产经营方式。电子产品的日益纷繁复杂、快速地更新换代和技术指标不断攀高,无论是对于OEM还是ODM产品,SMT新品导入(NPI)都不可等闲视之。