简介:激光再流焊接技术主要适用于军事和航空航天电子设备中的电路组件的焊接。这些电路组件采用了金属芯和热管式PCB,贴装有QFP和PLCC等多引脚表面组装器件。由于这些器件比其他SMC/SMD的热容量大,采用VPS需增加加热时间,这将导致PCB和表面组装器件出现可靠性问题。波峰焊接和红外再流焊接技术也不适用于这种情形下的焊接,但激光再流焊接技术可快速在焊接部位局部加热而使焊料再流,避免了用上述焊接技术的缺陷。同时,由细间距器件组装的SMC/SMD在成组的再流焊接工艺中常出现大量桥连和开口。特别是随着引脚数目的增加和引脚间距的缩小,引脚的非共面性使这些焊接缺陷显著增加。
简介:随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiCMOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiCMOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiCMOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。