简介：本文从有关环境工程、绿色工程的概念出发,介绍了"绿色"电子元器件生产的发展历程,综合叙述并举例说明了绿色元器件生产管理和技术,提出并展望了元器件生产的"绿"化原则和前景.

简介：2008年，全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元。液晶电视用半导体的市场规模到2007年有望超过笔记本电脑液晶显示器用半导体。

简介：至2006年中国将超过日本成为世界第二大集成电路市场，到2010年将取代美国成为全球最大的电子产品制造基地和集成电路器件采购国。

简介：2003年中国半导体市场达170亿美元，预估5年内市场规模将达到400亿美元，并带动当地晶圆代工市场快速成长。

简介：中国半导体产业首次突破2000亿，今年中国芯片消费市场需求将增长34.9%。

简介：

简介：2004年亚太区半导体业将增长27．4％，市场总值将由2003年的713亿美元，全球半导体材料设备开支2004年将达到448亿美元，比2003年增长51％。

简介：判断1:2008年全球LCD芯片市场将达70亿美元由于液晶电视和液晶电脑显示器产品将快速发展,到2008年,全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元.这意味着到2008年,全球LCD芯片销售额将出现17%的复合增长率,而单位出货量将增长29%.LCD半导体市场的快速增长,反映出笔记本个人电脑(PC)显示器面板,台式PC的液晶显示器和液晶电视市场的需求上升.预计笔记本和台式电脑的液晶显示器市场规模亦将自1176亿台增至2.264亿台.

简介：<正>日前,欧洲半导体分销和制造协会DMASS表示,2004年第二季度欧洲电子元器件分销总值为12.2亿欧元,比上年同期增长18.8%,比第一季度增长1%。在四个规模较大的市场中,法国增长速度最快,增长率为21.8%,德国为17.2%,意大利为12.3%,以及英国为6.9%。从产品类型上看,存储器产品独领风骚,在2004年第二季度涨幅达到50%

简介：文章通过研究表明，密封元器件内部气氛中的氢气对镓、砷化物或硅器件的可靠性有长期的影响，钛氢化合物的形成可以造成GaAs器件物理变形，进而导致器件失效。试验分析表明，密封元器件内部氢气主要来自封装金属基底中吸附的气体，这些气体在热应力条件下扩散到腔体内部。试验证明在元器件封装前对封装材料进行排气处理，可以有效地将材料中的氢气释放。通过对可伐合金在不同条件排放的氢气含量的测量与分析，进一步验证了腔体内部氢气的来源，并得出随着热应力时间的延长，氢气的排放量有增长趋势的结论。

简介：SIPLACE团队（西门子电子装配系统有限公司）宣布推出一款全新软件SIPLACEalternativeComponents（SIPLACE替代料解决方案），用于支持电子制造商为每个贴装位置定义多种替代料。

简介：去年投资下降较为严重的电子元器件行业，今年以来已呈现出恢复性增长。

简介：本文介绍了在非常紧凑的短脚电子元件间隙内,利用水清洗技术来实施有效清洗操作的经验.

简介：本文有比较地研究了线键合和区域焊接两种功率芯片互连技术的生产过程、电性能、热处理和可靠性,指出了功率芯片互连技术中线键合和区域焊接技术的优点和缺点.

简介：随着科技与潮流的演进，新一代的手机朝着轻薄并集成多功能的方向前进，要求与之配套的元器件生产厂商不断推出适合手机企业需求的小型化、高集成化、低成本的元器件，而环保呼声的日益高涨，也要求这些企业应顺时而变，满足环保要求。

简介：摘要电子元器件是电子设备和系统的基础，它的可靠性会对电子设备工作效能的有效发挥产生直接的影响。随着电子元器件的类型和数量的增加，如何提升其可靠性检测和筛选是首要问题。本文对电子元器件的准确检测和筛选做了简要分析。

简介：<正>日前,从郭庄空港新区传出消息:由南京客商投资的江苏时瑞电子科技项目签约郭庄,总投1.4亿元。这标志着国内最大半导体敏感元器件项目牵手空港新区,也必将为该地区的产业升级发展注入新的活力。

简介：基于内外气体交换的分子流模型，采用了以τHemin为基本判据和定量确定最长候检时间的方法，提出了以内部气体质谱分析检测元器件密封性的方法及其氦气含量法和氩气含量法，给出了这种方法的判据公式、压氦或压氩压力时间和最长候检时间公式或确定方法，规定了检测判定程序。内部气体质谱分析，需要时辅以粗漏检测，能够进行具有更高灵敏度和准确性的、破坏性的密封性检测，可用于鉴定检验、周期检验和认证性检测。

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-