简介：经过6年时间，4个发行版，苹果终于完成了向64位的迁移，并随着SnowLeopard的发布推出了解决并行编程问题的GrandCentralDispatch（简称GCD）技术，释放了多核系统的潜力。

简介：世界经济疲软，导致各家市场调研机构的预测数据也硬气不起来，纷纷向下修订全球半导体市场增长率，与先前的乐观看好相比，可谓“猛踩刹车”。

简介：<正>我国半导体封装业相比IC设计和制造最接近国际先进水平,先进封装技术的广泛应用将改变半导体产业竞争格局,我国半导体封装业在"天时、地利、人和"有利环境下有望在国际竞争中实现"弯道超车"。半导体封装地位提升随着摩尔定律的不断微缩化以及12英寸替代8英寸晶圆成为制程主流,单位芯片制造成本呈现同比快速下降走势。而对于芯片封装环节,随着芯片复杂度的提高、封装原材料尤其是金丝价格的上扬以及封装方式由低阶向高阶的逐

简介：在物理实验中,将半导体激光器作为光源的实验很多,但由于其光学性能取决于工作电流的大小与谐振腔的质量,所以了解其适用范围,对于指导教学活动是很有帮助的。

简介：<正>对全球贸易而言,台湾半导体公司就像是煤矿里的金丝雀,而且它们还在鸣叫。电脑和手机在中国大陆组装,然后被运往欧洲和美国,而半导体是生产这些产品的关键材料。所以半导体的生产状况成了预示国际贸易周期的一个领先指标。产能利用率从2010年下半年开始下降,预示着在欧美消费需求疲软的情况下,全球贸易复苏乏力。但2012年上半年却呈现出反弹迹象。

简介：<正>半导体市场春燕提早飞来!受惠于明年2月农历春节旺季备货潮正式启动,包括台积电、联电等晶圆代工厂不仅12英寸厂利用率持续满载,8英寸厂也看到急单大举涌人,推升产能利用率达9成以上,且订单能见度直达明年第1季中旬。业者指出,除了PC生产链需求仍然疲弱,移动装置及消费性电子产品生产链拉货力道见到转强,库存调整几可确定提前结束,晶圆代工厂本季营收可望超标,平均季减率低于5%,明年第1季已无淡季效应,可望与本季持平或小跌,

简介：意法半导体近日宣布，为加快合作研发技术的推广，意法半导体已收购与创业公司bTendo合作研发的知识产权以及这家以色列初创公司的大部分技术精英。

简介：文章简要介绍了半导体β—FeSi2的基本性质及制备方法，讲述了β-FeSi2在太阳能电池、红外探测器和热电转换方面的应用，并对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要的讨论。

简介：灿芯半导体（上海）有限公司今日宣布，灿芯半导体的台湾分公司和美国分公司已正式成立。为了拓展灿芯半导体在台湾和海外的业务，方便与海外客户开展业务，灿芯半导体早在2011年初就开始筹划在台湾和海外建立分公司。台湾分公司已于2011年9月成立，位于台湾新竹，包括销售、设计与研发等部门，灿芯半导体资深总监杨展悌兼任台湾分公司总经理。

简介：介绍了半导体封装模具偏错位种类，分析了偏错位缺陷产生的原因，并针对偏错位总结了几种相应的纠正措施、改善解决方案，指出应从模具设计、材料选择、模具温度设置调整、定位零件设计、总检与控制等各方面系统优化解决。

简介：半导体行业几乎涉及生活中的每个方面,并且将成为许多解决方案的核心部分,解决全球面临的种种挑战。寻求更洁净、更高效节能产品将使半导体成为核心。半导体的创新就是一个转折点。在以前的PC时代,人们关注的是处理器的抗剪性能。我们正在进入互联智能时代,嵌入式处理性能需要与功率效率权衡考虑,系统功能是通过传感器、RF和模拟接口的智能集成实现的。连接性需求始终处于未满足状态,这将继续推动行业推出可以提供更高性能、

简介：<正>IBM日前宣布了能够支持22nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(ComputationScaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁GaryPatton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则

简介：中美晶日前宣布，完成总额约90亿元的银行联贷案，主要用做收购日商Covalent半导体晶圆事业资金。中美晶表示，这次银行联贷案，由中国信托等银行共同筹组，中美晶分两项承贷。第一项由中美晶代表借款62亿元，第二项为中美晶日本子公司GWafersInc．代表借贷77．5亿日圆，合计共约90亿元资金。这次联贷将用来收购日商Covalent半导体晶圆事业。

简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：<正>在全球经济普遍低迷的情况下,日本半导体产业近来却复苏凌厉,增长大幅领先于其他地区。从美国半导体协会(SIA)7、8月份的全球半导体销售数据中可看到,近几个月日本地区从2011年的地震灾害中恢复过来并强劲反弹,三个月来的平均半导体销售额增幅远远高于欧美及其他亚太市场,同时单月销售额创造了自2009年9月以来增幅最高的记录。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：<正>半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。国家产业政策的大力扶持2009年,国务院发布《电子信息产业调整和振兴规划》,强调要加快电子元器件产品升级,充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器件产品结构,提高片式元器件、新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生

简介：<正>市场研究机构Gartner预估,2012年印度市场的半导体组件消耗量将会是全球成长最快的,金额达到92亿美元,较2011年成长20%。"印度半导体组件消耗量的成长动力,来自当地人口的增加、消费者所得提升、经济成长以及有利的官方政策;"Gartner研究总监

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：<正>东京都市大学(原武藏工业大学)综合研究所开发出了可在室温(300K)且电流注入的条件下发光的Si类半导体元件。发光时的Q值高达1560。为室温下Si类半导体的全球最高值,完全可作为LED使用。在以Si类半导体实现光传输的"Si光子"技术领域,包括光敏元件和导光路