简介：摘要在单晶硅的生长过程中，通过调整单晶生长的V/G比值，控制单晶微缺陷的分布。

简介：叙述了CZTS基薄膜太阳能电池的研究现状,分析了熔盐法制备单晶颗粒的优势,对单晶颗粒薄膜太阳能电池的研究进行了综述,并对单晶颗粒薄膜太阳能电池的发展进行了展望.

简介：摘要直拉（CZ）单晶硅生长炉是目前世界上最主要的单晶硅生产设备，制约单晶炉生产效率提升的关键因素之一是投料量。现装料方式通过强化训练人工技能使每次坩埚投料量尽量增大，但是随之而来的问题是当投料量增大时硅料势必在坩埚内更加紧密的排列，形成搭桥、塌料导致坩埚破裂、硅料掉出石英坩埚的几率随之上升，24寸热场一次投料量只能达到170KG。随着二次加料技术应用单炉投料量达到了290KG，真正达到了降本增效的目的。

简介：据报道，近期，同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓（β-Ga2O3）单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶，X射线双晶摇摆曲线半高宽27”，位错密度3．2×10^4／m^2，表面粗糙度〈5A，该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

简介：摘要本文就焰熔法生长掺铈硅酸钇镥的粉体及部分生长工艺关键问题进行了研究。通过固相法对粉体制备温度进行了实验，对生长晶体的炉体进行了改造。通过SEM分析和XRD分析结果表明，1400℃能制备出满足生长需要的纯度较高的掺铈硅酸钇镥粉体。通过工艺改造，将两管燃烧器改成三管燃烧器，能够有效减少晶体在炉体内的温度梯度分布，有利于晶体生长。

简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。