简介：

简介：全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（1R）推出IR115X系列集成式μPFC功率因数校正（PFC）IC，适用于多种AC—DC应用，包括照明、LCD／PDP电视和游戏机的开关式电源（SMPS）、风扇、空调，以及300W至8kW的不间断电源（UPS）。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

简介：<正>Aethercomm公司推出其最新高功率宽带RF放大器,其工作频率为600～3000MHz。这种固态功放适用于宽带军事平台,整个频带的饱和输出功率典型值为10.0W,典型增益34

简介：

简介：继“高功率镍氢电池系统开发研究”项目获国家高技术研究发展计划（863计划）立项之后，日前，春兰又根据混合动力客车对电池功率和能量的要求，推出了新一代超高功率镍氢动力电源系统。

简介：

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：安捷伦科技日前宣布。推出业内最小的低功率SIR(串行红外线)收发器。这款收发器的封装高度仅为1．6mm。为2．5G和3G手机、PDA、电子钱包、智能电话和便携式打印机等超薄型便携式产品提供了理想的选择。它的工作电压仅为2．4V。可以连接低达1．5V的逻辑高电平的输入／输出逻辑电路。这款红外收发器功率低、体积小。有助于降低制造成本、缩小电路板空间。

简介：AnalogDevices，Inc．推出一款多通道DAC（数模转换器），内置ADI公司优秀的DC—DC开关转换器和诊断功能等创新的动态功率控制电路。这款新型DAC可以提高系统生产力，同时还能在不影响安全性和可靠性的条件下降低功耗。

简介：<正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

简介：英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容，推出600VCoolMOSP7和600VCoolMOSC7Gold（G7）系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

简介：

简介：

简介：MicrochipTechnologyInc．（美国微芯科技公司）推出全新的PIC24FJ256GB1单片机系列。该系列单片机共有12款器件。是低功率（100nA待机电流）的大内存（高达256KB闪存以及16KBRAM）16位USB单片机系列．也是集成USB2．0器件、嵌入式主机以及两用On—the—Go（OTG）功能的16位单片机系列，可帮助用户通过高性价比且便捷的途径在嵌入式设计中添加高级USB功能。此外，这些单片机配备集成充电时间测量单元（CTMU）外设，以及免版税的mTouch触摸传感解决方案软件开发工具包。

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

简介：PulseEngineering公司推出的屏蔽和非屏蔽表面贴装鼓形磁芯功率电感器，具有96种不同的型号。该电感值范围从1μH至数百μH，低电流下，具有不同的尺寸可满足广泛的DC／DC转换器和滤波应用。

简介：<正>日本FDK公司开发出了尺寸为1.6mm×0.8mm、厚度为0.3mm的小型超薄功率电感器"MIPSKZ1608G系列"。该产品适用于可穿戴设备、智能手机、平板电脑、数码相机等移动设备的电源用电路。新产品与FDK以前的产品不同,采用了类似LGA(LandGridArrayPack-age,平面网格阵列封装)的下电极构造。利用这种构造以及该公司自主开发的铁氧材料技术和微细印刷技术,使新产品的厚度比原产品(系