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  • 简介:目前比较常用的镀铝结构复合膜有BOPP/VMPET/PE、BOPP/VMCPP、PET/VMCPP等,本文重点探讨了镀铝膜复合异常现象的解决方法,包括复合强度、镀铝转移等问题。

  • 标签: 干式复合 镀铝膜 强度差 原因 BOPP 异常现象
  • 简介:本文通过大量实测数据证明了在压法透气性检测中,对试样两侧施加不同的压力不会对透气性试验数据产生影响。

  • 标签: 压力差 压差法 等压法 透气性
  • 简介:介绍了果蔬压预冷的原理、组成、分类及影响因素,综述了近几年压式预冷方法及设备的研究进展,提出了压预冷技术推广的建议及今后的发展方向。

  • 标签: 预冷 差压预冷 预冷设备 数值模拟
  • 简介:空调器焓值法测试台中,空气接收混合箱的设计湿球温度的测量准确度直接影响着测试精度。仿真结果表明,通过在接收箱内加装带有挡流板导风板的混合器,对气流的均匀扩散、测量精度的提高有明显效果。取样风速为5~7m/s时,所测得湿球温度与空气实际的湿球温度偏差仅0.15%。

  • 标签: 空气焓值法 测试精度 接收混合箱 仿真设计
  • 简介:本文主要分析了影响油墨附着牢度的几大原因,包括油墨树脂体系、颜料分散度、溶剂、薄膜表面处理效果、薄膜吸湿性能、浅网印刷等因素,并介绍了相应的解决方法。

  • 标签: 附着牢度 油墨 故障率 树脂体系 表面处理 吸湿性能
  • 简介:根据压式流量开关的工作原理,研究其在实际工程应用中的潜在失效模式,并针对其潜在失效模式分析中的高风险因素制定有针对性的可靠性试验方案。该可靠性试验表明,压式流量开关可以避免失效模式的发生,有效提高产品的可靠性。

  • 标签: 冷水机组 流量开关 失效模式 可靠性试验
  • 简介:介绍焓法试验装置,论述PLC可编程在焓法试验室中的应用,总结在调试过程中所遇到的各种故障问题,并提出相应的解决措施.

  • 标签: 焓差法 PLC 调试
  • 简介:美国科学家近日揭示了单链DNA在穿越碳纳米管时发生的“易位”过程。这一过程可引发电流的不规则激增.而其中涉及的电子信号特性或可为纳米孔技术在快速DNA测序中的应用提供帮助。

  • 标签: 单链DNA 碳纳米管 强电流 易位 激发 美国科学家
  • 简介:通过微观分析、性能测试形貌观察,研究了Ni/TiO2基核壳结构微粒电流变液性能与其浓度、剪切速率以及所加电磁场强度的关系,结果发现,成分相同时,电流变液的强度随浓度剪切速率的增加而增强,但到达一定时趋于稳定,同时,电场磁场复合加载有利于电流变液强度的提高,其形貌亦出现微粒柱的相互交织。

  • 标签: 流变特性 电流变体 纳米核壳微粒
  • 简介:影响复合膜透明度的因素很多,在实际生产中需要根据不良品的表观现象实际情况以做出判断并加以解决。本文分析了胶黏剂颜色、基材透明度、基材的表面张力不足、胶黏剂流动性不足展平性、上胶量不足、烘箱温度、复合辊、熟化温度时间、薄膜基材吸湿等因素对复合膜透明度的影响,并提出了相应的解决方法。

  • 标签: 复合膜 软包装 技术讲座 明度差 原因 薄膜基材
  • 简介:据USGS(美国内务部地质调查所)统计,2002年世界硒产量为1460t,比2001年的1580t减少8%。硒是与金、银一起存在于铜冶炼过程产生的残渣中。因此,硒产量减少估计是由于铜产量减少使用了硒品位低的矿石所致。

  • 标签: 市场需求 供应量 市场价格
  • 简介:当女儿伊娃出生后.彼得·哈里斯便一脚踏入数字摄影的天地.并通过网络把照片发送给亲戚朋友,现在他有了更高的要求。

  • 标签: 鲜花 数字摄影 哈里斯 照片
  • 简介:在许多文化中,围坐在篝火旁仍然是促进欢乐氛围的代名词。TULIPFEUERRING对古老的火炉进行了重新诠释。它由未经处理的钢材制成,整体呈碗状,内部有呈环形栅格状的烤架。这款火炉具有雕塑般的外观,既坚固又使人感到安宁。

  • 标签: 火炉 瑞士
  • 简介:“CE”标志是一种安全认证标志.被视为制造商打开并进入欧洲市场的护照通行证。凡是粘有“CE”标志的产品就可以在欧盟各成员国内销售.无须符合每个成员国的要求,从而实现了商品在欧盟成员国范围内的自由流通。

  • 标签: “CE”标志 欧盟成员国 GS UL 安全认证标志 欧洲市场
  • 简介:本文对包装的渗透泄漏进行了分析,提出应从包装材料、包装过程、运输销售全过程考察包装的密闭性能的观点。对于目前国内外常见的氧气透过率、水蒸汽透过率的检测方法进行了分析比较,指出了它们的优缺点实际操作过程中的一些问题,文章还给出了常用的泄漏检测方法,并对泄漏产生的原因进行了论述。

  • 标签: 包装 泄漏 氧气透过率 水蒸汽透过率 测试方法 渗透
  • 简介:介绍在电磁兼容测试当中,当连续干扰电压测试结果不满足相应标准时,采取相应的滤波电容抑制干扰的方法。

  • 标签: 电磁兼容 滤波电容 连续干扰电压
  • 简介:利用SOI衬底生长部分/完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件;这两种方法均可用于CMOS结构,也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道,可将沟道迁移率提高50%,从而提高了器件电流。SOI晶体管的好

  • 标签: SOI 应变SI 晶体管 CMOS FDSOI