简介：

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

简介：摘要：Si基GaN因其在制备功率电子器件领域重大的应用优势，且具有低衬底成本，衬底8英寸技术非常成熟，使得Si基GaN(GaN-on-Si)电子器件的社会经济效益比较高，在5G通信领域应用前景比较明朗。本文介绍了GaN-on-Si器件在5G通信领域内的技术应用趋势，以及所面临的市场竞争。

简介：摘要： 随着高亮度 GaN 基 LED 在照明领域的广泛应用，提高 LED 芯片的发光效率成为一个重要的研究课题。 LED 芯片有源层产生的光从半导体材料向外出射时，受全反射效应的限制，只有少部分光能够辐射到自由空间。大部分光经过多次全反射后被半导体材料、有源层和金属电极吸收并转化成热量，严重影响芯片的出光效率。一种有效的方法是在芯片表面制造微结构，增加半导体材料与封装材料之间的界面发出光的角度的随机性，降低光全反射的概率，从而提高光输出的效率。

简介：进入2018年，部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证，产品可靠性正在获得认可。同时，8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破，未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下，Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。

简介：摘要：作为一种新型的计算方法，量子计算有望解决经典计算机过于复杂的问题。自提出以来，受到了广泛关注。然而，由于量子比特的脆弱性，实用化的量子计算机必须实现量子纠错，容错量子计算的概念应运而生。有效量子纠错的前提是量子比特操作的错误率低于某个阈值，即容错阈值。在各种物理体系中，硅基半导体自旋量子比特的制造工艺与现代半导体先进制造工艺兼容，并具有其他体系无可比拟的扩展优势，被认为是实现容错量子计算的最有前途的体系之一。

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简介：摘要：硅基材料是现阶段应用非常常见的锂离子电池负极材料，其特点表现在拥有相对较高的理论比容量、不容易和电解液之间发生反应等，是现阶段拥有良好发展前景的一种材料。然而，硅基材料在一些方面也存在相应缺陷，例如其体积效应非常大以及导电性相对较低等，此类特点会对其商业化的应用造成一定限制。基于此，本文主要围绕锂离子电池硅基负极材料进行分析和探讨，以期为相关工作开展提供参考。

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简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：文中对宜普电源转换公司（EPC）Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000kHz、宽幅输入电压12-28V时,输出电压恒定3.3V,输出电流约为0-16A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14W·cm^-3,转换时间小于4ns,具有良好的抗干扰度和瞬态响应,纹波小于20mV。该模块的整体性能均优于当前硅基DC/DC电源模块。

简介：摘要随着氮化镓（GaN）基发光二极管的效率、亮度、寿命等参数的进一步提升和成本的持续下降，GaN基LED正在逐渐取代传统光源在通用照明、液晶显示器背光源等领域的应用。高压LED是一种集成式芯片，将一块芯片分割成数个互联的发光单元，使得LED在高压低电流的状态下工作，与同样的传统大功率LED相比，高压LED的电流扩展性能和发光效率得到了提高。

简介：简要介绍了聚硅氧烷的性质和应用前景，着重讨论了反应性有机官能端基硅氧烷的合成及特点。反应性硅氧烷是制备有机硅改性的嵌段或接枝共聚物的关键起始原料和反应中间体，在共聚物的形成中起着重要的作用。

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：摘要：随着当前信息技术的发展，光通信技术成为了人们日常使用的一种工具，在人们的生产以及生活之中能够产生非常大的影响，在管不管通信之中，硅基集成光隔离器是经常使用的一种手段，对于光通信技术有着非常深远的影响，未来的世界中，信息技术是主要的竞争手段，因此新型的硅基集成光隔离器的研究至关重要，在当前我国对这方面的研究已经取得了一定的成果，本文主要对此进行分析，希望对相关从业人员有一定的参考。

简介：全球气候变暖正在挑战人类发展。面对日益严峻的挑战，我们应该意识到，节能减排，保护环境，是我们每一个人的责任。所以，我们应该从这一刻开始，关注生活细节，为保护我们的地球出一份力!

简介：今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造），见表1。

简介：摘要为了解决可见光显微成像技术无法实现硅基芯片内部结构观测的问题，根据1064nm的红外激光对硅材料具有一定穿透深度的特性，设计了一种硅基半导体芯片激光红外显微成像系统。该系统采用数值孔径为0.42的长工作距显微物镜，通过音圈电机振动多模石英光纤消除散斑噪音，由系统观察CD-RW盘片道间距，表明系统分辨率可达到1.6μｍ，接近理论值，实现了对芯片厚度为70μｍ的静态随机存储器内部结构显微成像的观测。

简介：摘要：本论文主要讨论了硅基负极材料的合成和修饰方法，并对其优势和不足进行说明。通过介绍目前常见的制备与改性技术，包括纳米硅、硅碳复合、硅氧复合等。通过对上述方法优缺点的分析和比较，并对未来的研究方向和发展趋势做出合理展望，以期为相关人员提供参考和借鉴。