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简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

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简介：简要介绍了聚硅氧烷的性质和应用前景，着重讨论了反应性有机官能端基硅氧烷的合成及特点。反应性硅氧烷是制备有机硅改性的嵌段或接枝共聚物的关键起始原料和反应中间体，在共聚物的形成中起着重要的作用。

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简介：<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：在n类型的坚持的光导增益(PPC)现象轧了电影成年bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)被学习了。在使用一些测试和分析方法以后，例如双水晶X光检查衍射(DCXRD)，光致发光(PL)系列，等等，在n类型的PPC轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队(YB)，这被发现，并且被Si的做的水平很可能引起。

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简介：ThepurecubicGaN(c-GaN)hasbeengrownon(001)GaAssubstratesbyECR-PAMOCVDtechniqueatlowtemperatureusingTMGaandhighpureN2asGaandNsources,respectively.TheeffectsofsubstratepretreatmentconditionsonqualityofcubicGaNepilayerareinvestigatedbythemeasurementsofTEMandXRD.Itisfoundthathydrogenplasmacleaning,nitridationandbufferlayergrowthareveryimportantforqualityofcubicGaNepilayer.

简介：Byusingspectroscopicphotoconductance,transmittanceandluminescencemethods,theopticalcharacterizationofGaNgrownbyplasmasourceMBEhavebeenevaluated.Theimperfectionoftheepitaxiallayerdeducedfromthemeasuredresultshavebeendiscussed.Thetransientresponsesofthephotoconductivedetectorshavebeenmeasured.Twotimeconstantsof0.17msand6.85msatroomtemperaturearededucedfromthemeasuredresults.Theoriginshavealsobeendiscussed.

简介：TheenergybanddiagramandchargedistributionoftheunintentionaldopedAIGaN/GaN/AIGaN/GaNdoubleheterostructurewereobtainedbyself-consistentPoissonSchroedingercalculations.Theseverebandtiltingandhightwo-dimensionalelectrongas(2DEG)densitymainlyattributetothelargeinternalpolarizationintensity,whichisc/osetoalinearfunctionorAlcomposition.TheinfluenceorAlcompositionisinvestigated.Theresultsshowthatbandtiltingenlargesand2DEGgainswithAIcomposition,andtwo-dimensionalholegasoccurswhenAIcompositionreachesacertainextent.TheinfluenceorAlcompositionandtwo-dimensionalholegas(2DHG)ondevicesisdiscussed.

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：调查在上植入Ge在氨下面轧了由MOCVD成年然后在1100点退火的电影周围被执行了。与增加Ge培植剂量，四座另外的山峰在260的波浪数字产生，314，428并且在Ramam系列的670cm-1。在PL系列，与在2.66eV和黄乐队集中的PL乐队相比的乐队边排放的相对紧张随植入Ge的剂量的增加减少。260的模式和314cm-1被归因于散布的激活混乱的拉曼，而428的模式和670cm-1被分到空缺和空缺相关的建筑群的本地颤动。在2.66eV和黄乐队集中的PL乐队也与这些空缺缺点有关。在为样品的301cm-1的新拉曼山峰退火了仅仅5min由于缺乏的退火从Ge簇发源。

简介：洪仁Gan与西方传教士的关系在某种程度上反映了太平天国的文化取向，作为拜上帝教的最初信徒和作为太平天国后期第二号领袖人物的洪仁Gan对西方传教士的关系是不大相同的。洪仁Gan与西方传教士的关系是太平天国外交关系的晴雨表。拜上帝教与正统基督教的争论和矛盾既是文化方面的冲突，更是政治方面的抗衡。

简介：多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道,论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱.

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简介：TheeffectsofgrowthtimeonthestructureandmorphologyofcubicGaNnucleationlayersonGaAs(001)substratesbymetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)havebeeninvestigatedusingasynchrotronX-raydiffraction(XRD).TheXRDresultsshowthattheGaN111reflectionsat54.75°inχareameasurablecomponent,howeverthe002reflectionsparalleltoGaAs(001)surfacearenotdetected.TheXRDΦscansandpolefiguresgiveaconvincingproofthattheGaNnucleationlatyersshowexactlythecubicsymmetricalstructure.Thecoherencelengthsalongtheclose-packed<111>directionestuimatedfromthe111peakarenanometerorderofmagnitude,Theoptimalphotoluminescence(PL)spectrumwasobtainedfromthecubicGaNepilayerdepositedonthenucleationlayerfor60sec.