简介：光伏发电是太阳能利用的重要途径之一。提高单晶硅的光学吸收特性可以提高光伏利用效率，降低制造成本。采用时域有限差分法计算了具有竖直排列纳米孔阵列结构的单晶硅薄膜的光学特性，发现纳米孔阵列强化光学吸收的机理包括等效折射率减小、纳米尺度效应和电磁波谐振效应。计算结果表明，合理设计纳米孔阵列的排列周期和孔径可以大幅增强单晶硅薄膜的光学吸收，使纳米孔阵列单晶硅薄膜光伏器件的理论效率比相同厚度单晶硅片光伏器件高85.5%，并预期可以使10^0μm量级厚度的纳米孔结构单晶硅薄膜具有和10^2μm量级厚度的单晶硅片相当的光伏特性。

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：美国斯坦福大学科学家发明了一种纳米线制作的新型锂电池，这种电池比传统充电电池的储电量提高了10倍。其技术的关键在于提高电池阳极的储电量。当电池充电时，带正电的锂离子将吸附住电流中的电子，并移动到阳极。当电池放电时，锂离子放出原来吸附的电子，放出电能，并通过导电胶回到阴极。传统电池的阳极由非常薄的碳原子层组成，而储存一个锂离子需要六个碳原子。

简介：

简介：以正硅酸乙脂（TEOS）为硅源，十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂，添加聚乙二醇（PEG）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为分散剂，合成了A1MCM-41纳米硅铝介孔分子筛，运用XRD、N2吸脱附、TEM对所得样品进行表征，结果表明，添7DPEG和PVP均能显著改善A1M—CM-41纳米硅铝介孔分子筛的分散性，但是PVP的分散效果明显好于PEG，这是因为，PVP链上吡咯基中电负性的氧原子与分子筛颗粒表面的羟基形成氢键，更易吸附在颗粒的表面，提高颗粒的分散性。

简介：阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。

简介：采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置，对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27．1－29．5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰，对该实验现象进行了讨论。

简介：纳米孔材料在催化、吸附脱附、器件模板等方面有重要的应用．利用扫描隧道显微镜研究了苯三氧乙酸在石墨表面组装的多孔结构，孔径约1．4nm且孔排列有序、规则．

简介：采用化学气相沉积（CVD）法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si（111）衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明,氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。

简介：

简介：随着对能源需求的不断增加，可再生能源尤其是太阳能越来越受到人们的重视，光伏应用作为太阳能利用的重要途径一直是研究的热点。近几年，具有半导体纳米线结构的太阳电池引起了人们的广泛关注，由于其独特的电子传输和光吸收特性，这种新型电池在提高电池的转换效率、降低生产成本等方面将可能成为很有发展潜力的太阳电池。

简介：采用超增溶纳米自组装原位合成法制备催化剂硅铝载体.实验表征结果表明,用超增溶纳米自组装原位合成法能够制备出形状规则、尺寸均一的纳米球状粒子.该纳米硅铝载体上布满了由纳米粒子搭建的孔属于介孔材料,比表面积在222.61-286.08m^2/g之间,孔容在0.486-0.625mL/g之间,平均孔径在7-10nm之间,并且以大孔和中孔为主.酸性主要分布在弱酸和中强酸区,并且大多数为L酸,有少量B酸.该载体粒子形状、大小比较规则、均一,粒径分布比较集中,是比较理想的纳米催化剂载体.

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：美国布法罗大学的研究人员日前发现，无需加热只要加水，直径约10纳米的球形硅粒子几乎在瞬间即可产生纯度高的氢气，未来可作为便携式设备能源供给的一个潜在来源。研究人员在一系列的实验中创建了直径约10纳米的球形硅颗粒，当其与水结合发生反应时，会形成硅酸（无毒的副产品）和氢气，而后者可作为燃料电池能量的一个潜在来源。该反应并不需要任何光线、热能或电能，

简介：德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义，因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

简介：日前，《全球半导体技术路线图》报告显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。预计，到2015年，全球半导体产业将从当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。该报告是由欧洲、日本、韩国、中国台湾和美国的主要半导体厂商联合发布的，主要致力于寻求未来的半导体制造技术。

简介：采用电化学阳极氧化法在HF酸水溶液中使纯钛表面生成结构致密有序的TiO2纳米管阵列薄膜，考察了阳极氧化电压和阳极氧化时间对Ti02纳米管阵列形貌的影响，讨论了TiO2纳米管的形成机理。采用复阻抗谱方法，测量了获得的TiO2纳米管阵列薄膜在不同湿度下的电阻一电抗曲线和相位角一频率曲线，由此分析得到，试样的等效电路由2个RC并联回路串联而成，并拟合出等效电路各元件的参数值，说明TiO2纳米管阵列薄膜表面对湿度变化有较好的响应。

简介：采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法，在导电玻璃（FTO）上生长ZnO纳米棒阵列（ZnONRs）。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、电流-电压（I-V）曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试，结果表明：ZnONRs呈纤铅矿型；ZnONRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关，经0.1mol/LKOH刻蚀1h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnONRs；KOH刻蚀后的ZnONRs与未刻蚀前高密度的ZnONRs相比，其光学性能得到提高。0.1mol/LKOH刻蚀1h的ZnONRs作为太阳能电池的光阳极，其光电转换效率、短路电流、开路电压较未刻蚀的ZnONRs分别提高了0.71%、2.79mA和0.03V。

简介：摘要：在大电流密度真空微纳电子器件的制备中，对于碳纳米管发射阴极阵列的分布均匀性和取向性要求较高。目前，多采用气相化学沉积法（CVD）制备定向碳纳米管阵列来满足此需求。本文利用热CVD法以及电子束光刻技术制备定向碳纳米管阵列，在此基础上设计出了一种具有良好取向的网格状定向碳纳米管阵列结构，同时改进了碳纳米管阵列的场发射特性。

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。