简介：介绍了时序逻辑单元和组合逻辑单元发生单粒子效应的机理,以反熔丝型FPGA芯片ActelA54SX32A为实验对象,设计了3种典型的链电路系统。在中国原子能科学院HI-13串列静电加速器上采用Br离子对电路进行辐照实验,在频率为20MHz的条件下,3个链电路的翻转截面分别约为3.268×10-3cm2,7.449×10-4cm2和3.988×10-4cm2。实验结果验证了在0.22μm工艺条件下,时序逻辑单元比组合逻辑单元更加敏感,并且在包含两者的电路中,组合逻辑单元会屏蔽部分单粒子效应。最后,针对电路中不同逻辑单元,给出了两种加固方法。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：针对加速器驱动次临界系统（acceleratordrivensubcriticalsystem,ADS)堆芯内快中子份额大、多核素共振现象较强、液态铅锯（Pb-Bi)合金冷却剂中子增殖的特点，开发了一套用于ADS燃耗分析的MCNP多群数据库制作程序。基于最新的ENDF/B-1.1和JENDL40评价库，制作了30群阶数据库，对影响MCNP多群计算精度的能群结构、散射角分布、（n，2n)和（n，3n)反应截面进行了敏感性研究，并利用快谱基准装置和ADS堆芯模型进行了验证。结果表明，制作的多群数据库达到了较高的计算精度，计算效率较连续能量点截面MCNP程序提高1.3倍。

简介：对核参数敏感度和不确定性分析的理论方法进行了探讨，在敏感度系数的基础上所定义的积分指标Esum能定量地表示出两个不同核裂变装置的相似性，即可用于定量地比较一个基准核裂变实验装置与一个欲评估核裂变装置的相似程度。不确定性的分析提供了一个计算核裂变系统中由于截面数据方差而导致系统中七疆方差的方法，并且也提供了一个计算不同核裂变系统中Keff协方差的方法。不确定性的分析方法是将截面数据的方差信息通过与能量有关的敏感度系数传播给Keff行。某一材料截面数据的方差可以传播给所有含有该材料的临界装置。有着相同材料的临界装置将产生关联。

简介：在超球坐标中,用类氢波函数基展开来计算电子偶素负离子(PS~-)系统的基态能量,然后用基态波函数计算体系的形状密度,从而确定基态的几何结构。

简介：

简介：本文运用铅同位素比值法，对广西三种类型古代铜鼓的矿料来源进行了考证。测试了９５个样品，以充分的实验事实说明北流型和灵山型铜鼓的矿料来自北流铜石岭及其周围一带。广西出土的冷水冲型铜鼓铅同位素分布场大致可分为三个区域，其中Ⅱ、Ⅲ两个区域已找到对应的矿料来源。但Ⅰ区尚未在广西找到矿料来源。可能这些铜鼓是在广西以外的地区铸造，后来再传入广西的，这一问题尚需进一步研究。

简介：锂作为最轻的金属元素，在质谱测量中会发生显著的同位素分馏效应。国内外有关锂同位素的质谱分析研究，多针对的是地质、环境、宇宙学等领域，测定的样品中锂含量都在微克以上量级。针对特殊要求，需要发展纳克量级的痕量锂质谱分析技术。

简介：锂作为最轻的金属元素，在地质学、天体物理学和核工业等领域，得到了广泛的应用，这些应用都要求对锂同位素丰度进行准确测定。测定锂同位素丰度常用的方法为热表面电离质谱法，但是测量存在系统偏差，需要校正，目前所用的校正方法有标准校正法和校准质谱法。

简介：全回流是低温精馏分离氢同位素的一种重要操作模式，由于此模式下系统不受外界进料等因素的扰动，可以方便地获得再沸器加热功率对系统分离性能和温度、压力、液位等重要参数的影响。在全回流模式下，再沸器加热功率提高后，精馏柱内气液两相传质充分，因此再沸器加热功率作为可调参数可改善系统分离性能，但再沸器加热功率提高后，精馏柱内气体线速度加大，造成床层压降加大，有可能带来液泛等问题。

简介：氧化铝弥散强化铜合金是国际热核实验堆（ITER）的备选热沉材料之一,氘在其中的渗透滞留行为关系到ITER运行的安全性。通过气体驱动渗透平台测定了实验温度621~803K时氘气在氧化铝弥散强化铜合金中的渗透参数;通过热脱附谱实验平台记录了2种氧化铝弥散强化铜合金以及CuCrZr的热脱附曲线。结果表明：在相同温度区间内,氘气在氧化铝弥散强化铜合金中的渗透系数与纯铜及CuCrZr接近,说明氧化铝弥散相对氘气在氧化铝弥散强化铜合金中的渗透系数基本没有影响,而扩散系数比在纯铜和CuCrZr中都低,且在低温时显著降低;2种氧化铝弥散强化铜合金均有3个脱附峰,而CuCrZr合金只有1个脱附峰。