简介：

简介：首先对矩阵和其伴随矩阵的一些性质进行介绍，为后面的命题证明做一些准备；其次在文[1]的基础上给出一些更加具体的推论，并对这些推论进行证明；最后对A与A^＊的特征向量之间的关系给出了一个结果。

简介：根据光的衍射理论,研究了靶面激光参数与传输距离的关系,得出了激光远距离上行传输情况下,靶面平均功率密度的外推计算方法,给出了具体的计算步骤,并对该方法进行了不确定度分析.结合具体的实验条件和实验测量结果,利用该方法计算了激光远距离传输情况下靶面平均功率密度.最后,根据特定的大气湍流结构模型,分析了大气传输修正系数与传输距离及发射仰角的关系.结果表明,大气传输修正系数与激光传输距离无关,与激光的发射仰角有关.但当测量路径上的大气相干长度大于8cm,且外推路径的发射仰角大于35°时,大气传输修正系数接近于1,此时,远距离传输情况下的激光参数可以采用几何外推方法计算.

简介：目的：探索1T-MoS2（多型结构的二硫化钼）的除汞机制。方法：1.采用密度泛函理论（DFT）分析Hg~0在1T-MoS_2单层上的吸附机理。2.考察1T-MoS_2的不同吸附位置。3.对不同的吸附构型,研究电子吸附前后的变化,从而进一步了解吸附过程。结论：1.化学吸附是Hg原子与1T-MoS_2单层吸附的主导因素。同时,在所有可能的吸附位置中,T_（Mo）（在钼原子上方）的位置是最强烈的吸附构型。2.汞（Hg）原子在1T-MoS_2单层上的吸附受邻近的硫（S）和钼（Mo）原子的影响。3.吸附的汞（Hg）原子在1T-MoS_2的Tmo位置上会被氧化,其吸附能为-1.091eV。4.从局部态密度（PDOS）分析来看,Hg原子和1T-MoS_2表面之间的相互作用是由汞（Hg）原子的d轨道与硫（S）原子的s轨道及钼（Mo）原子的p轨道和d轨道重叠所致。

简介：喷气Z箍缩实验研究采用的气体负载为拉瓦尔喷嘴产生的超音速瞬态气流，气体密度通常为10^15～10^17cm^-3，初始位形和质量线密度直接影响到箍缩后等离子体的密度、温度和X射线产额，是一个重要的物理量，其测量结果用于校验喷嘴理论设计程序，为Z箍缩实验研究提供合适的气体负载质量线密度和让喷气时间与脉冲功率装置脉冲电流相匹配。

简介：用费波那契数列（ＦｉｂｏｎａｃｃｉＳｅｑｕｅｎｃｅ）计算规则联接的电阻、电容网络的等效值，方法特别且较常规的电阻（电容）串并联解法方便、快捷。

简介：显而易见，他们是一群知道自己需要什么的人，或者说是基于非常了解自己而具备了自知之前的人。他们很自信，但并不狂妄，因为事业发展经历的风风雨雨，已经让他们的心态日渐平衡。

简介：在相同的反应体系中当ｐｈ值从约９．５调变至１１时分别合成出双中孔ＳｉＯ２和六方中孔ＳｉＯ２材料，并用ＸＲＤ、Ｎ２吸附、ＴＥＭ、ＴＧ／ＤＴＡ和ＦＴＩＲ等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明，双中孔ＳｉＯ和六方中孔ＳｉＯ２是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔ＳｉＯ２相比，双中孔ＳｉＯ２也具有典型中孔材料的特征ＸＲＤ谱图，虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单ＸＲＤ衍射峰（ｄ＝５．２ｎｍ），但它却给出一种独特的Ｎ２吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与ＳｉＯ２骨架间相似的相互作用，两类材料给出类似的ＦＴＩＲ谱图和ＴＧ／ＤＴＡ曲线。然而，在双中孔ＳｉＯ２的ＦＴＩＲ谱图中９６０ｃｍ处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔ＳｉＯ２较六方中孔ＳｉＯ２具有更高的骨架聚合度。更多还原

简介：阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40～60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015～1016cm-3.

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。