简介：在当今电子计算机发达的日本国珠算教育仍在盛行为把珠算教育工作推向新的发展阶段日本隆重召开加速强化珠算教育大会会上宣读了１０５万人签名的强化珠算教育书。文部大臣小杉隆先生接见珠算联合会代表。据日本《全国珠算新闻》报４９０期报道：日本全国珠算教育团体联合...

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

简介：采用密度泛函理论（DFT）的B3PW91方法,在混合基组水平上对Al掺杂Sn12-团簇几何结构和电子结构进行了计算分析.结果表明,Al内掺杂Sn12-团簇能量更低更稳定,但LU-MO-HOMO能隙较小.外掺杂多面体簇中,电荷从Al原子移向Sn12-笼,趋向形成[Al＋Sn122-]结构;内掺杂多面体簇中,电荷从Sn12-笼移向Al原子,趋向形成[Al-@Sn12]结构.

简介：

简介：摘要智能电网是当前全球电力工业关注的热点，是电网未来的发展方向，而智能变电站是智能电网的重要组成部分。电子式互感器具有高精度、高可靠性、宽响应带等传统电磁式互感器所不具备的优点，是智能变电站的关健装备元件，在智能变电站建过程中，应科学合理地选用电子式互感器。

简介：基于密度泛函理论（DFT）平面波超软赝势方法，对MgF：晶体近邻F位进行双空穴调制掺杂，选择PBE泛函进行计算，对比N单掺杂MgF：晶体和N近邻双掺杂MgF。晶体的晶体结构、电子结构以及吸收光谱．通过对电子结构的比较，研究了N近邻双掺杂对MgFz光催化活性的影响，给出了离子之间的协同作用机理．通过对比可以看出，N近邻双掺杂对MgF：晶体光学性能具有较佳的调制效果，其效果优于（N，Fe）双掺杂调制．

简介：众多B2C网站已建立起会员等级制度，并据此向买家提供价格折扣。但会员等级制模型仅考虑买家交易金额，无法全面反映买家在线购买历史（onlinepurchasehistory），故不能准确提供差异化折扣。针对上述问题，提出了一种面向B2C电子商务的差异化折扣模型，该模型包含能体现买家在线购买历史的交易、退单、推荐购买、晒单等四个指标，将买家在线购买历史聚合为一个综合值，进而通过min-max标准化方法进行线性转换，将转换后的聚合值与会员等级基准折扣结合得到最终的差异化折扣，从而使得B2C网站可向同级别会员实施更精准的一对一营销和价格歧视策略。以京东商城为背景的仿真实验结果证明了本文新模型的有效性。

简介：采用1-氨基蒽醌经酰氯化，合成含双键的单体，再与丙烯酰胺单体共聚，随后对共聚物进行了Hofmann反应，制得含伯胺侧基和蒽醌生色团的水溶性聚合物．利用傅立叶红外光谱、核磁共振氢谱及紫外，可见光等测试手段对所合成的聚合物的结构进行了表征，并探讨了含蒽醌生色团的水溶性聚合物的光致电子转移性能．

简介：结合基于电子白板的教学案例，本文探讨了电子白板在营造学习氛围、突破教学难点、提供互动媒介等方面的优势，为信息技术与高中化学深度整合提供了实践案例。

简介：在库仑玻恩近似框架下,利用库仑势带有数学参量积分的球谐表达式的形式,将散射振幅的跃迁矩阵分解为彼此独立的两部分:入射扭曲因子和靶结构因子,以电子与类氢离子—氦离子在库仑玻恩近似下1s-2s激发和1s-2p激发的非弹性散射为例,导出了靶结构因子的解析发达式,并分析了它对微分散射截面的贡献。

简介：基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了纯MgF2晶体、Co掺杂MgF2晶体、P掺杂MgF2晶体和（Co，P）双掺杂MgF2晶体的电子结构和光学特性．结果表明，掺杂后的MgF2晶体发生了畸变，原子之间的键长也有所变化．（Co，P）双掺杂后，由于非金属原子P态和金属原子d态之间的轨道杂化，在MgF：的导带与价带之间形成了新的杂质能级，这些杂质能级一方面减小了MgF2的带隙宽度，使光吸收曲线红移到可见光区，另一方面有利于光生电子一空穴对的分离，提高了MgF2光催化效率．（Co，P）双掺杂使位于禁带中的杂质能级的态密度明显增加，导致电子从价带跃迁到杂质能级和从杂质能级跃迁到导带的概率增加，从而使其对太阳能的利用率提高．并揭示了（Co，P）双掺杂MgF2在光学元器件方面的潜在应用．

简介：随着经济的发展和职业教育改革的不断深入,对中职专业课提出了更高的要求。根据中职学生的实际以及中职生的特点,为了激发中职校电子专业学生的学习兴趣,提高中职校电子专业学生的综合职业素质和能力,在《电子产品工艺与装配》课程教学中采用了行动导向教学法。本文以音乐门铃装配制作为例,介绍了行动导向教学法在音乐门铃装配制作教学过程中的实践,以及实践行动导向教学的效果和学生过程性学习的评价。

简介：本标准适用于对甲酚、异丁醇为原料，以浓硫酸作为催化剂，氧化铝作为脱水剂，反应生成2，6-二叔丁基对甲酚。在食品加工中用作抗氧化剂。

简介：强激光在冕区等离子体中传播到临界面附近生成相对论电子和相对论电子束流在随后较长一段稠密等离子体区的能量传输是快点火中的关键问题。对快点火条件下的激光等离子体参数，临界面附近产生的前向快电子电流往往超过阿尔芬极限电流，必须在稠密等离子体中产生中和回流，快电子流才能在稠密等离子体中向前输运。横向电磁不稳定性（类Weibel不稳定性，WI）和纵向静电双流不稳定性（TSI）很容易在这种电子双流体系中激发，前向电子束会被调制或成丝状结构，同时激发电磁场，粒子部分动能会转化为电磁场能量。不稳定性在非线性饱和后，发生电流丝的合并、磁场重联等过程，部分电磁场能量会再转化为粒子能量，表现为对离子体的横向加热。Weibel不稳定性的作用可能形成围绕传播电子束的磁通道，对快电子的定向和准直传播是重要的。TSI激发的纵向静电场对磁场通道会有明显的调制甚至破坏作用，直接影响高能电子流从激光吸收区到燃料压缩区的准直传播。

简介：研究了磺化2,3-萘酞菁锌(Ⅱ)、钴(Ⅱ)在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)、DMSO(二甲基亚砜)、乙醇、水等溶剂中的电子吸收光谱和荧光光谱.萘酞菁配合物的Q带与相应的酞菁配合物Q带相比,电子吸收光谱红移80～90nm,荧光光谱红移约100nm,荧光强度也显著增加.在金属萘酞菁中引入磺酸基,配合物的电子吸收光谱Q带发生红移,但是影响不大.对于相同中心金属的配合物,改变溶剂的种类对配合物的电子吸收光谱的Q带影响较大.在金属萘酞菁环上引入一个磺酸基时,在相同溶剂中与无取代萘酞菁相比发生荧光光谱Q带红移,荧光强度增大.但在萘酞菁环上继续引入磺酸基时,荧光强度反而减少.磺化萘酞菁钴比磺化萘酞菁锌有较大的荧光强度.不同浓度下的电子吸收光谱和荧光光谱说明金属萘酞菁有集聚倾向、能形成基激缔合物.

简介：提出了双核金属酞菁类化合物催化Ｈ２Ｓ液相氧化反应的催化电池电子转移机制，即借助于催化剂分子自身歧化所形成的催化电池Ｍ（Ⅰ）Ｐｃ－ＰｃＭ（Ⅲ）实现底物（ＨＳ－）与分子氧间的电子转移，其反应过程为阴极反应：Ｏ２＋Ｍ（Ⅰ）Ｐｃ→Ｏ２－＋Ｍ（Ⅱ）Ｐｃ，阳极反应：ＨＳ－＋Ｍ（Ⅲ）Ｐｃ→ＨＳ·＋Ｍ（Ⅱ）Ｐｃ。这一电子转移过程也是决定整个反应的控制步骤，从而导致催化反应按自由基历程进行。

简介：采用半经验PM3方法对1,2,4-苯并噻二嗪-1,1-二氧类化合物的4种衍生物进行了量子化学计算,从几何构型、电子结构、前线分子轨道等几方面探讨了取代后体系电子性质的规律性变化,为药物合成提供理论基础和实验指导.

简介：运用G98W程序,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[2,5-(Me3Si)2MeC5H2FeI(CO)2]进行从头算研究,探讨了配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前线分子轨道的组成特征等.结果表明,标题配合物在能量上可作为结构单元而稳定存在.该结构单元为茂金属配合物的合成、分子组装分析和催化活性研究提供理论依据.

简介：通过典型的双分子亲核取代和烯烃亲电加成反应,讨论了反应过程中,化学键伸缩振动力常数和分子中1个电子所受到的作用势（D_（pb））之间的关联.研究表明分子中1个电子所受到的作用势能够很好地描述反应中键形成和断裂时的化学键强度.

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。