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《电源世界》
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2015年9期
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SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向
SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向
(整期优先)网络出版时间:2015-09-19
作者:
邓隐北;郭学梅;张子亮;史谦东
电气工程
>电力电子与电力传动
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资料简介
SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。
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SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。
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功率芯片
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