简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:摘要在当今以人为本思想不断在社会上传播的背景下,人的权利被越来越得到尊重。现在社会上都流行多元化,个性化发展,每个人都是不一样的个体,应该求同存异的发展。而在教育界,学生作为一个个独立的个体,也应该被教育者所尊重,在学生学习的过程中每个学生的学习方法以及学习能力肯定是不尽相同的,每个学生之间都会存在差异,因此教育者在对学生进行教育的过程中应该尊重每一位学生的差异,根据差异进行不同的教学,这称之为个性化教学,又称为个别化教学。本文通过对初中物理教学的调查研究,探讨在班级授课制下初中物理个别化教学的发展状态,探究在这种教学模式下对学生进行自主独立学习有何帮助,以及“茶馆式”教学具体的意义是什么,这种新型的教学方式是否能被初中生所很好地接受。