简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:导电胶主要是由环氧树脂基体和导电粒子组成的复合导电聚合物,其力学性能主要是由聚合物基体决定,基体是粘弹性材料,具有时间和温度依赖性。文章建立了一个基于时间-温度、时间-固化度的宏观粘弹性本构关系来描述导电胶在固化过程中的粘弹性行为,通过动态力学试验(DMA)表征导电胶的粘弹性行为,测定导电胶的粘弹性参数。通过对导电胶粘弹性行为表征,能更好的优化固化工艺参数。