简介:为研制具有较宽频带微波吸收性能的材料,采用机械合金化法制备CoxFe80-xSi20(x=0,6,10,14摩尔百分数)合金粉体,使用SEM、XRD和矢量网络分析仪等测试手段,研究了合金粉体微观结构及Co-Fe-Si合金微波吸收性能。结果表明:制备的合金粉末呈片状,主要由-Fe相组成;Co的添加使Co-Fe-Si合金出现两个微波吸收峰。在较高频段处的微波吸收峰值随Co的添加先增大后减小。在涂层厚度为1.8mm时,x=10的合金低频处的反射率最小值最小,合金吸波峰频率和峰值分别为6.2GHz和-14.8dB,合金在高频处吸波峰频率和峰值分别为18GHz和-8.8GHz,合金反射率低于-5dB的带宽达14GHz,具有良好的微波吸收宽频效应。
简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增