简介：摘要目前电子工作者有很多，但是却很难上升到一个更高的层次，出现这一现象的主要原因就是在开发电器元件时就存在很大的误区，在应用上的认识不够，而对电子元器件的开发和利用又是对工程师自身素质的一种提升，笔者通过对电子元器件的开发和应用进行分析，并结合具体实例进行说明，仅供参考。

简介：摘要电子元器件生产后，由生产厂家进行初步筛选，但是由于受到各种因素的影响，初步筛选后依然会有一些产品存在着质量问题，因此需要进行二次筛选。本文主要通过对电子元器件进行二次筛选的原因与适用范围的介绍，分析了电子元器件二次筛选的注意事项，最后探讨了二次筛选的质量控制措施，仅供参考借鉴。

简介：摘要随着我国科学技术的飞速发展，我国的现代化工业也在飞速的提高中，伴随着各种电子设备元器件也有所提升，使其在各个领域中有着很好的发挥，但大部分电子设备元器件都会受到不同程度的霉菌的损害，使得我国开始对的电子设备元器件的防霉变技术开始有所研究。

简介：摘要作为最基础的组成部分，在电路系统中电子元器件对于其系统的正常、安全可靠运行发挥了重要作用，保证与整机系统有效配合，这就要求电子元器件具有较高的贮存可靠性，正因为电子元器件在电路系统中占有的重要位置，对其贮存可靠性的关注度越来越高。现实经验表明，在日益复杂的电子设备使用环境中，保证高要求的贮存可靠性，才能提高整机的可靠性。

简介：10月17日，神舟十一号飞行任务取得圆满成功。航天科工二院203所作为航天用电子元器件定点供应单位，为天宫二号和神舟十一号的通信系统配套了大量的高性能、高可靠晶体元器件产品，有力的保障了神舟十一号飞行任务。

简介：在物联网推动之下,围绕家居以及生活的智能化成为全球科技企业争相投入重兵的领域,未来智能生活的市场容量空前,这也为智能设备的基础——电子元器件提供了巨大商机。

简介：摘要在混成式InSb焦平面器件制造过程中，热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因，其较高的碎裂概率严重制约InSb焦平面器件成品率。针对InSb焦平面器件温度循环下碎裂的现象，设计出热冲击试验装置，采用该装置，对InSb焦平面器件进行热冲击试验，获得InSb焦平面器件碎裂位置、分布等丰富的试验数据；通过对碎裂机理进行分析，梳理并识别生产过程中引起碎裂的工艺因素，确定了热失配应力和工艺损伤是造成InSb焦平面器件碎裂的两个主要原因。通过对底部填充材料的择优选择、固化过程的优化，控制芯片切割中的进刀速度，选择适合InSb材料的磨料，减少热失配应力，避免生产过程中引入的工艺损伤，降低了InSb焦平面器件碎裂的概率，显著提高InSb焦平面器件的成品率。该研究工作分析了混成式InSb焦平面器件碎裂机理，找到了引起InSb焦平面器件碎裂的主要原因，并采取有效措施，降低了碎裂概率，使成品率提高50%，提升InSb焦平面器件的制造水平，将InSb焦平面器件应力分析结果应用于制造过程，指导探测器结构设计和工艺优化，对320*256、640*512中规模InSb焦平面器件研制具有重要意义。

简介：微电子是IT行业发展的典型代表,微电子器件的应用,需要做好静电防护的工作,以此来提高微电子器件的性能,避免影响其在应用中的表现。因此,本文重点探讨微电子器件的静电防护措施。

简介：电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限，很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能，成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨，并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。

简介：摘要随着经济的快速发展，我国的电力电子器件的应用越来越广泛。在现今的时代中，电力电子器件的应用已经能够深入到能源、交通运输、环境、先进装备制造、激光、航空航天及航母、舰船、坦克、第五代战机、激光炮、电磁炮等现代化国防武器装备诸多重要领域。这与近多年来电力电子器件与电力电子技术的飞速发展和电力电子的重要作用密切相关。因此，对电力电子器件及其应用的现状和发展很重要，本文对此进行研究，希望能促进电力电子器件的发展。

简介：摘要随着现代科学技术不断发展，极大地丰富了传感器件的种类，并提升了其施工性能。在电气设备智能化程度越来越高的背景下，传统的红外控制方式的局限性逐渐暴露出来，不再能满足现代智能电器如智能电视等设备的实际控制需求。因此针对电容式传感设备、电磁式传感设备、地磁传感设备等新型传感设备，在智能遥控器中的实际应用进行深入探讨，具有重要的现实意义。笔者从传感器件出发，就其在现代智能遥控器中的实际应用，发表几点看法。

简介：为进一步提高＂半导体物理与器件＂的教学质量,该文探讨了引入Aether软件改进课程的教学方法和教学手段。通过Aether软件仿真得到半导体器件的特性曲线,有利于学生深入理解器件的工作原理、应用特点和参数影响等内容,在教学中取得了良好的效果。

简介：摘要近年来人们对于电子器件的要求越来越高，集成度要求高，造成电流密度的增加，对电子元件的耐压和公路容量的要求也在提高。集成度高，电流密度增加，最频繁的工作量下，其器件的热分布也会有很大的变化，会造成电子元件的失效甚至损坏。加强电子元件的可靠性，成为越来越重要的命题。本文针对微电子器件的可靠性进行了分析。

简介：本文发展了一种新的台面硅整流器件的切割方法,该制程工艺能有效消除传统的砂轮切割方式导致的玻璃钝化芯片出现的微裂纹缺陷,避免了传统工艺砂轮与硅片之间接触所造成的各种机械损伤以及暗伤隐患。按照该切割方法所制作的产品,其切割面的不完整性与粗糙程度能有效降低。因此能提高该类半导体器件的性能,特别是提高了高反压器件的稳定性、可靠性和耐压强度。

简介：摘要在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

简介：针对石英晶体各向异性的特点,设计了一种驱动梁为双＂W＂截面形状的石英音叉微机械陀螺,通过在驱动梁表面凹槽两端设置深凹槽,有效提高了凹槽侧壁的陡直性,进而提高了驱动梁内部电场的激励效率和陀螺灵敏度。采用有限元仿真的方法,分析了不同截面形状的驱动梁压电激励力的相对大小,优化设计了陀螺芯片结构参数。依据陀螺芯片的结构,设计了合理的工艺方案并在3英寸石英圆片上制作出了三种驱动梁截面形状的陀螺器件,测试结果表明,相对于矩形驱动梁截面的陀螺芯片,双＂W＂形驱动梁截面的陀螺芯片的灵敏度提高约60%。

简介：恩智浦半导体（NXPSemiconductorsN．V．）推出PTN5100，它是一款Type—C基带供电物理层（PD-PHY）器件，也是完整USBType—C解决方案最新添加的IC，适用于多种平台，包括笔记本电脑、台式机、PC附件和移动互联设备。符合USB-IF规范的PTN5100将进一步巩固恩智浦在TypeC创新领域的领先地位，并在简化Type—C设计和扩大Type—C解决方案生态系统方面发挥关键作用。

简介：ADI与ARM共同打造一系列超低功耗微控制器（MCU），以实现安全性和能效更高的物联网（IoT）器件。ADI将其创新的超低功耗混合信号技术结合采用ARMTrustZone技术的新型ARMCortex—M33处理器，旨在解决功率受限的物联网应用中不断增长的数据安全需求。

简介：摘要印制电子工艺技术主要用来生产电子元器件以及电子产品，已经得到了很大的应用，本文将对印制电子工艺进行叙述，然后对影响电子器件可靠性的主要因素进行了分析，最后讨论了印制电子工艺在有机电子器件上的应用。

简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。