简介:摘要ESD保护在高压工作中起着至关重要的作用,但大部分ESD器件本身由于内壁结构的不合理存在着很高的潜在风险,一旦产品出现问题很难保证高压工艺的安全性。而高电压工作又不能使用可控硅整流器件(SCR)进行保护,所以只能通过优化ESD器件,来保证高压工作的安全进行。文章通过实验和检测的方式,研究了LDMOS器件释放电流的过程,同时对器件发生的二次触发现象进行深入研究,对比各项数据的结果,给出了LDMOS器件内在内部结构上有哪些改进,结合计算机仿真技术、传输线脉冲测试,并对通过ESD工作过程中的失效分析等多方面,大幅提升了器件承受电流的能力,而且进一步给出了ESD整体性能的优化方向。
简介:摘要:2022版国际器件与系统路线图中的工厂集成白皮书对半导体行业未来的工业化发展提供了标准应用建议以及标准化趋势预测,对于我国的半导体标准化活动具有重要的借鉴意义。