简介：采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置，对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27．1－29．5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰，对该实验现象进行了讨论。

简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：

简介：采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构，其结果表明，二氧化钛与二氧化硅复合后，钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位，不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同，说明经过复合后二氧化钛结构发生改变，并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

简介：SAXS被用于研究聚合氯化铝硅（PASC）絮凝剂的形态，0．1MPASC絮凝剂的分形数随絮凝剂中硅铝比的增加而增大，当硅铝比由0．025增加到0．075时，分形数由1．29增大到1．41。

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。

简介：应用扩展X射线精细结构（EXAFS）技术研究了化学改性MnO2中锰及铋的结构形态。结果表明：掺杂元素铋进入MnO2的晶格，增大MnO2的不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中，铋的氧化态保持稳定，MnO2没有发生结构重排。

简介：

简介：以正硅酸乙酯[Si(OC2H5)4，TEOS]和甲基三乙氧基硅烷[CH3Si(OC2H5)3，MFES]为前驱体，通过共水解法和两步法制备出两种不同的甲基改性氧化硅凝胶，在北京同步辐射光源(BSRF)小角X射线散射(SAXS)站测量了凝胶的散射强度，计算了凝胶的平均粒径、两相间比表面积等参数，在此基础上分析了凝胶的分形特征，发现存在两个尺度上的分形结构，分别对应于从SiO2原生颗粒到一次团聚体和从一次团聚体到簇团两种尺度。辅以透射电子显微镜(TEM)观测，证实由两种方法获得的凝胶具有非常不同的微观结构。实验证明，利用SAXS技术研究甲基改性凝胶的分形特征是获得凝胶徽观结构的有力工具。

简介：通过NH4NO3溶液处理商业硅胶，制备了一种新的担载型Co/SiO2催化剂体系以及用于F－T合成重质烃反应。固定床优选条件下的运行结果表明，在该催化剂上的CO转化率可达到90％以上，目标产物C5^+选择性可达到80％以上。采用XAFS（X射线吸收精细结构）技术研究了该催化剂的物相结构，结果表明，处理后的硅胶与钴物种之间的相互作用明显减弱，钴物种的配位情况由Co-t向Co-o转变，使催化剂在工业还原条件下的还原度大大提高。

简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。

简介：本文通过对三聚氰胺(C3N6H6)的室温高压原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验（EDXRD），在14．7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1．3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8．2GPa又转变为正交相。