简介：

简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

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简介：在军用电子元器件和民用消费类电路中，电子封装均起着举足轻重的地位。当今社会，电子技术日新月异，集成电路正向着超大规模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能的方向迅速发展，对集成电路的封装技术提出了愈来愈高的要求，使得新的封装形式不断涌现，新的封装技术层出不穷。文中介绍了一种新型的封装发展趋势——圆片级封装技术，主要详述了圆片级封装的概念、技术驱动力，列举了主要厂家圆片级封装技术的应用情况。

简介：本文评价了系统封装技术的研发历程,探讨了这种封装的特性.同时指出了在实际应用中一种具有代表性的成果.

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简介：本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议.

简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等.文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是：种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等.

简介：自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

简介：微电子器件的封装密度不断增长，导致其功率密度也相应提高，单位体积发热量也有所增加。为此，文章综述了封装外壳散热技术的基本原理、最新发展及其应用，并简要讨论了封装外壳散热技术的未来发展趋势及面临的挑战

简介：随着IC设计的发展趋势，封装体日益向小体积、高性能化方向发展。江苏长电科技研发出的新型封装形式——FBP平面凸点式封装正是顺应了这一发展趋势的要求。文章主要介绍了FBP封装的结构以及突出的性能优势。

简介：近年来铅污染广泛地受到了人们的重视。2003年2月13日欧盟颁布WEEE／RoHS法案，在世界范围内引发了一场电子封装的无铅化革命。本文综述了电子封装技术的现状以及我国如何面对无铅。

简介：圆片薄型化工艺技术的改进，以及对小型化、便携式产品的强烈的市场需求，共同推动了封装技术的创新。文中主要论述了与超薄型集成电路封装技术相关的薄型硅集成电路应用、超薄型圆片的制造、薄型化切割技术、同平面互连技术、倒装片装配及其可靠性问题。

简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：MCM封装是多芯片组件，它可以将裸芯片在z方向叠层，更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM—C及MCM—D。其中MCM—L成本低且制作技术成熟，但热传导率及热稳定性低。MCM—C热稳定性好且单层基板价位低，但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用，它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。

简介：<正>为了降低生产成本,国际半导体制造商以及封装测试代工企业纷纷将其封装产能转移至中国,从而直接拉动了中国半导体封装产业规模的迅速扩大。同时,中国芯片制造规模的不断扩大以及巨大且快速成长的终端电子应用市场也极大地推动了中国半导体封装产业的成长。两方面的影响,使得中国半导体封装业尽管受到金融危机的影响,但在全球半导体封装市场中的重要性却日益突出。

简介：近年来铅污染广泛地受到了人们的重视.2003年2月13日欧盟颁布WEEE/RoHS法案,在世界范围内引发了一场电子封装的无铅化革命.本文综述了电子封装技术的现状以及我国如何面对无铅化的问题.