简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

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简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

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简介：电子元器件小型轻量化与高功能化要求，促使集成电路实行堆叠式多芯片封装(MCP)。日本NEC开发了挠性载板的折叠式芯片尺寸封装，称为FFCSP。本文叙述了FFCSP开发背景，FFCSP的特征和构造。详细叙述了采用超声波进行倒芯片连接的FFCSP可靠性评价。在实验方法中确定了FFCSP的产品规格，FFCSP的工艺流程，

简介：本文评价了系统封装技术的研发历程,探讨了这种封装的特性.同时指出了在实际应用中一种具有代表性的成果.

简介：本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议.

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等.文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是：种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等.

简介：自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

简介：电脑系统的安装不但繁琐而且耗时,因为每台计算机配置不同,所以使ghost镜像还原系统失去了其应有的作用,该文介绍创建系统封装包的方法,能够使系统安装更加轻松自如.

简介：随着IC设计的发展趋势，封装体日益向小体积、高性能化方向发展。江苏长电科技研发出的新型封装形式——FBP平面凸点式封装正是顺应了这一发展趋势的要求。文章主要介绍了FBP封装的结构以及突出的性能优势。

简介：最近几年,电源工程师选择方案的取向已有所改变,从离散的分立元件到现成或客户定制的供电器,转而采用高功率密度的电源模块,以叠积木的形式组成所需的供电器。这种电源架构的改变,始源于20世纪80年代,一种以零电流及零电压开关技术为核心的高频DC/DC变换器的诞生,使这些变换器以模块

简介：本栏目针对新材料,从科研、应用、产业化、市场、经营等角度论述新材料产业的现状和趋势。欢迎各界人士参与讨论,共商新材料产业发展大计。

简介：近年来铅污染广泛地受到了人们的重视。2003年2月13日欧盟颁布WEEE／RoHS法案，在世界范围内引发了一场电子封装的无铅化革命。本文综述了电子封装技术的现状以及我国如何面对无铅。

简介：圆片薄型化工艺技术的改进，以及对小型化、便携式产品的强烈的市场需求，共同推动了封装技术的创新。文中主要论述了与超薄型集成电路封装技术相关的薄型硅集成电路应用、超薄型圆片的制造、薄型化切割技术、同平面互连技术、倒装片装配及其可靠性问题。

简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：近年来铅污染广泛地受到了人们的重视.2003年2月13日欧盟颁布WEEE/RoHS法案,在世界范围内引发了一场电子封装的无铅化革命.本文综述了电子封装技术的现状以及我国如何面对无铅化的问题.

简介：<正>与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scalepackaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyxis平台有望使封装的成本、高度和面积分别下降50%、60%和75%。由封装工艺开发商美国的Tessera公司推出的此项技术能够将RF模块与功率放大器、收发器、滤波器以及开关等周边电路结合起来。与传统的9mm×10mm大小的层压式封装相比,Pyxis技术将无源器件以及所需衬

简介：在封装树脂的组成中,填充剂是最主要的成分之一,也是含量最高的组分,所以填充剂对封装树脂的性能起着决定性的作用.文章主要从封装树脂用填充剂的种类以及在封装树脂中的作用进行阐述,并以二氧化硅为例来研究分析填充剂对封装树脂主要性能的影响.