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  • 简介:【本节需学习的内容】本节教材安排了电流电流表的使用以及串并联电路的电流特点三大部分内容.电流是这一章中最基本的概念,同时这一概念较抽象,采用类比手法.将电流水流、电流强度水流强度进行类比,变抽象为形象,降低了学习难度.

  • 标签: 电流表 水流强度 串并联电路 电流强度 学习 抽象
  • 简介:Lyot型滤光器由多个基本单元构成,每个基本单元由两个透偏方向平行的检偏器及夹在两个检偏器中间的单轴晶体组成。受晶体厚度加工误差、环境温度变化等的影响,Lyot型滤光器的峰值透射波长会发生漂移。当带宽较窄时,峰值波长相对于信号光波长的漂移会引起信号光透过率的严重下降,这对实际工程应用极为不利。因此,客观上需要对双折射窄带滤光器的中心波长进行精确地调节。

  • 标签: 窄带滤光器 单轴晶体 t型 光程差 视场 基本单元
  • 简介:物理概念是物理学的基石.目前学生学习物理概念时,往往仅在表面层次上记住概念,不能理解概念揭示的本质特征,因而物理概念教学是物理教师必须重点研究的课题,而采用比值法定义物理概念是一种常用的方法.采用比值法定义物理概念要符合学生的认识水平,遵循学生的认知规律,培养学生的思维加工能力.在建立物理概念的过程中,要创设物理情境,提供丰富的感性材料,在科学研究方法的指引下学生经历、体验探究实验,逐步提高思维能力,从而抽象出物理概念,并且学会运用概念去解决实际问题,主动完成认识上的两次飞跃过程.

  • 标签: 物理概念 比值法 思维活动
  • 简介:在非标准分析框架下,用离散函数定义新广义函数,用商定义其导数.对Schwartz广义函数以及更广的Gevrey超广义函数,文章证明了广义导数可以用商表示.此外还给出了此新广义函数Sobolev理论的关系.

  • 标签: 广义函数 差商 导数 非标准分析 表示 证明
  • 简介:法是牛顿环实验中测量透镜曲率半径的常用数据处理方法。运用Excel软件对牛顿环实验数据计算、绘图线性拟合,可以提高数据处理的效率,降低实验误差。

  • 标签: 牛顿环 EXCEL 逐差法 数据处理
  • 简介:在结点互异或结点重合时,将函数商与其导数之间的关系式推广为关于两个函数的情形.

  • 标签: 结点 差商 导数 ROLLE定理
  • 简介:本文研究了同时带有基风险交易费用的不安全市场中的权证定价方法。把[1]的模型推广到了考虑基风险的情况[2]。期权的价格以一个三维自由边界问题的解给出,并含有两个相关的股票价格变量的相关系数。

  • 标签: 权证定价 交易费用 基差风险 效用最大化
  • 简介:本文对观测球的实验装置方法作了介绍,并附有测量数据。

  • 标签: 象差实验 球差 光栏
  • 简介:研究了一类具有最大值项连续变量的非线性二阶中立型时滞差分方程的振动性,利用Banach空间的不动点原理一些不等式技巧,得到了这类方程存在最终正解的充分条件,并得到了该方程振动的一些判别准则.

  • 标签: 振动和非振动 最大值 连续变量 中立型时滞差分方程
  • 简介:基于介观电路中电荷的量子化特性介观电容中存在弱耦合效应的物理事实,对介观LC电路进行了量子力学处理,并讨论了电路中的类超导电流的量子特性。结果表明:无源情形时介观LC电路中类超导电流随时间变化具有周期性,其平均值为零;在直流稳压电源的作用下类超导电流存在直流分量,总电流平均值存在shapiro台阶;在交流电源的作用下类超导电流也可以存在直流分量,但总电流平均值不存在Shapiro台阶。

  • 标签: 介观电路 电容弱耦合能 类超导电流 Shapiro台阶
  • 简介:使用电路模拟软件PSpice对Tesla变压器初级等效回路进行了仿真,得到了不同参数下的分支回路电流分布。研制了4个具有柔韧性的空心Rogowski线圈,用于测量初级回路中多个分支回路的电流。对2台脉冲功率源的初级电流进行了测量,发现电流分布并不均匀。将电流峰值最大的分支回路中的电容值减小到原值的1/2,可使该分支回路的电流峰值减小43%。通过优化初级电流分布,可以抑制电流过快增长,防止可控硅因电流扩散太慢而烧毁。

  • 标签: TESLA 变压器 初级电流分布 ROGOWSKI 线圈 可控硅
  • 简介:基于百千安快脉冲直线变压器驱动源(fastlineartransformerdriver,FLTD)平台,设计了一种负载电流倍增结构(loadcurrentmultiplier,LCM),并进行了实验验证。在电容器充电电压为±30kV,LCM电感为25nH的条件下,实现了负载电流的有效倍增,电流倍增系数κ为1.5,与理论估算值1.6接近。负载电流倍增技术可用于实验室现有脉冲功率装置的改造升级后续装置的设计中,以提高负载电流

  • 标签: FLTD 负载电流倍增 倍增系数 脉冲功率装置
  • 简介:采用大面积半绝缘型GaN(semi—insultingGaN,SI—GaN)晶体制备了电流型GaN辐射探测器,研究了探测器伏安(I—V)特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明,晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触,探测器在600V偏压下暗电流低于400pA,电荷收集效率高于40%,探测器脉冲响应时间在ns量级。

  • 标签: 半绝缘型GaN 半导体探测器 电荷收集效率